几种bi基—壳型纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究.pdfVIP

摘要 II型核一壳半导体因其特有的交错能带结构，已被广泛应用于光 学器件、光电子器件、光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化 壳半导体薄膜的制备、表征及其光电化学性能。主要内容如下： 多孔薄膜，然后通过表面硫化处理制得BizO，@Bi2S3核一壳结构多孔半 的形成；考察Bi(N03)3溶液原始浓度及不同硫化时间对光电化学性能 的影响，并给出解释。 (2)先于NaCl溶液中，在一定电势下阳极氧化光滑的Bi电极， 壳．核结构薄膜的形成；考察不同阳极化电势、时间及硫化时间对光 电化学性能的影响，并给出解释。 (3)先于KBr溶液中，在一定电势下阳极氧化光滑的Bi电极， 壳一核结构薄膜的形成；考察不同阳极化电势、时间及硫化时问对光 电化学性能的影响，并给出解释。 关键字：纳米半导体；薄膜；核．壳结构；热解；阳极氧化；表面硫 BiOBr@(BiO)2S；光电化学。 化；Bi20。@Bi2S3；BiOCI@(BiO)2S； ABSTRACT Fortheir band alignment，the uniquestaggerededge type—II core—shellsemiconductorshavebeen usedin widely optics， cells，PECsensors， andSOon．Inthis studiedthe and photocatalysis paper,we preparation characterizationofthinfilmsofthetype—II Bi20x@Bi2S3， surface—sulfurized surface—sulfurizedBiOBr BiOCl(SS-BLOCl)and wellastheirPEC (SS—BiOBr)core—shellsemiconductor,as properties． Themaincontentsareasfollows： core-shellstructuredsemiconductor (1)TheBi20x@Bi2S3 porous thinfilmswere of and surface preparedbypyrolysisBi(N03)3subsequent sulfurizationofresulted andXPS Bi20x．XRD confirmedthethinfilmsof core-shell Bi20x@Bi2S3havebeenobtainedtraderOUr experimental conditions．Theinfluenceofconcentrationofthe originalBi(N03)3 solutionandsulfurizationtimethe on PEC was