分子束外延验室的建设与gaas外延生长.pdfVIP

中文摘要 分子束外延生长技术是当代半导体材料和器件制造中最先进、最精细．非常 复杂的技术．一个分子束外廷实验室不仅仅是一台分子柬外廷设备的问题，还牵 涉到众多庞杂的支援性配套设备和设施．本文作者参与了一个分子柬外廷实验室 的创建工作，并进行了GaAs材料的外延生长。由此以其亲身经历，介绍了目前 国内仍然少为人知的分子柬外廷技术，详细叙述了一个分子束外延实验室所包含 的备个方面的内容和细节，这当中不仅有外廷生长技术的问题，还有与分子束外 廷紧密相关的超高真空技术、超低温技术、超纯水制取技术、超净空气环境净化 技术等方面的诸多问题．给出了建立一个完整的分子束外延实验室的解决方案。 叙述了GaAs材科外廷生长中从衬底制备到分子柬外廷生长整个过程中的许多细 节，这些细节往往是成功的关键且难得为人提及．在目前国内许多单位渴望了解 这方面技术的秘密和细节，欲建立一个自己的高级别半导体实验室或半导体材料 生长和器件制造车同，以从事光通讯、平面显示、超高速集成电路等方面的研究 或生产的情况下，文中的内容正是他们所急需的，极富参考价值的那种东西． 、b，i州”ov卦船川j 耨刚艟!；}书瓦父毒’．’， Abstract Molecular mostadvancedand but Beam耳lita科(Me日醅the sophisticatedvery device ofsemiconductor and fields material complex inthe growth technique MolecularBeam includes manufacture．A EpitaxyLaboratorymanyequipments， also theMBE othernumerous facilities,establishments，notonly system，‘but to it．Theauthortook inthe andinstallations devices support pert peripheral and the ofGaAs constructionof 8uoceededin aMBE epitaxy laboratory growth layers． beam whichisnotwellknownin the ofmolecutar Heintroduces technique epitaxy of in anMBE effortsand