半导体氮化薄膜非线性光学吸收性质的研究.pdfVIP

A Dissertation Submitted to Shanghai Jiao Tong University for the Degree of Science Master NONLINEAR OPTICAL ABSORPTION STUDY OF INDIUM NITRIDE THIN FILM Major: Condensed Matter Physics Candidate: Wang Zhuping Supervisor: Prof. Gu Chunming Prof. Shen Wenzhong Laboratory of Condensed Matter Spectroscopy and Opto-Electronic Physics, Department of Physics, Shanghai Jiao Tong University June 2010 半导体氮化铟薄膜的非线性光学吸收性质的研究 摘 要 半导体材料的非线性光学吸收性质已经持续多年成为光学以及 新功能材料领域的研究热点并被不断挖掘应用到实际器件中。例如， 饱和吸收性质已经被广泛应用在激光物理中，如锁模、光学双稳器件 等。双光子吸收和反饱和吸收也被应用在光开关以及光限幅器件等。 因此，本文对半导体材料氮化铟薄膜的非线性吸收性质的研究有着实 际的意义。 在各种不同的研究非线性材料光学性质的实验方法中，Z 扫描被 认为是一种测量非线性参数最简单并且最准确的手段之一。通过这种 技术我们既可以得到非线性吸收系数以及非线性折射率的符号又可 以同时得到其数值大小。它已经被广泛应用与研究半导体的非线性光 学性质。文章中，我们首先简介了介质中的基本三阶非线性光学过程， 然后介绍了 Z 扫描测量技术的实验装置及仪器。通过结合氮化铟薄膜 的基本光学参数，利用 Z 扫描技术研究了氮化铟薄膜在不同脉宽以及 波长激光下的非线性光学吸收性质。 本文主要利用开孔透射式 Z 扫描实验系统，研究了氮化铟薄膜在 纳秒、皮秒以及飞秒激光脉冲作用下的非线性吸收性质并分析研究了 不同的吸收机制，发现在不同激光脉宽作用下，氮化铟薄膜呈现了不 同的吸收过程。532 nm 波长下脉宽为 6 纳秒以及 38 皮秒的实验中直 接观测到了由线性吸收引起的饱和吸收效应。1064 nm 波长下的脉宽 为 38 皮秒脉冲 Z 扫描中，结果呈现出由双光子吸收引起的饱和吸收 效应。而 800 nm 波长的 100 飞秒脉冲实验中双光子吸收是主导的吸 收机制，随着入射光功率的增大，出现了饱和吸收的趋势。这些结果 充分说明 InN 薄膜是一种很好的饱和吸收材料。同时，InN 薄膜在纳 秒以及皮秒时间域中强的饱和吸收性质是的 InN 薄膜在激光脉冲压 缩方面有潜在的应用价值，而飞秒时间域中的双光子吸收也说明 InN 薄膜在光限幅器件方面有很好的应用前景。以上研究得到了国家自然 科学基金的资助，特此感谢！ 关键词：Z 扫描技术，氮化铟薄膜，双光子吸收，饱和吸收 NONLINEAR OPTICAL ABSORPTION STUDY OF INDIUM NITRIDE THIN FILM ABSTRACT The investigation on nonlinear optical absorption properties of semiconductors have recently received intensive research interest both in theoretically and experimentally. As we know, saturable