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多层硅纳米线阵列的制备转移及SERS、光电应用 中文摘要 中文摘要 硅纳米线阵列（silicon nanowires, SiNWs ）作为一维半导体纳米材料的典型代 表，由于其优异的物理性质和化学性质，在纳米光电子器件，新能源以及生物检 测等方面具有巨大的应用价值。但是在已报道的研究中，多数研究组以SiNWs 同 生长基底作为整体构筑器件。这使得SiNWs 器件成本较高，并且不利于构筑柔性 轻薄器件。因此发展一种使SiNWs 脱离生长基底，并充分利用生长SiNWs 单晶硅 基底的方法，在SiNWs 器件向柔性方向发展、降低应用成本等方面有重要意义。 在本论文中，我们提出了一种空气中加热辅助金属化学刻蚀（MCEE ）的方法 制备分层的 SiNWs，利用卷对卷转移技术实现 SiNWs 的大面积转移，并研究了 SiNWs 的表面增强拉曼（SERS ）和光电性能。具体研究内容如下： (1) 发展一种在空气中加热辅助MCEE 法制备分层 SiNWs，实现 SiNWs 的 转移，并对分层SiNWs 的制备机理进行研究。我们在不同晶向、不同掺杂类型及 掺杂浓度的单晶硅衬底上制备出具有横向断层的 SiNWs，证明该方法具有较高的 适用性。通过多次加热和刻蚀过程得到多层的 SiNWs，实现单晶硅基底的充分利 用，降低制备成本。利用卷对卷转移技术实现SiNWs 在柔性衬底上的无损转移， 保持SiNWs 的阵列性和光吸收性能。通过单晶硅基底的再次利用进一步提高基底 使用率。利用空气中加热辅助MCEE 法制分层SiNWs 的方法和卷对卷法在单晶硅 基底上实现分层SiNWs 的大面积制备和转移。 (2) 构筑银纳米颗粒修饰SiNWs 的表面增强拉曼基底（SERS ），并研究其SERS 性能。我们利用化学方法实现银纳米颗粒对 SiNWs 的修饰，通过化学键合Au 纳 米颗粒实现银纳米颗粒均匀分布。研究了银纳米颗粒修饰SiNWs 柔性拉曼增强基 底对罗丹明6G 分子的 SERS 性能。对比柔性的 SiNWs 拉曼增强基底及硬性衬底 在相同测试环境下对目标分子的增强效果，证明银纳米颗粒修饰转移下来的 SiNWs 在表面增强拉曼（SERS ）方面的应用。我们还证明该柔性SERS 基底对不 同目标分子具有增强效果。实现了柔性SiNWs 基底的SERS 应用，为其将来在生 物方面的应用提供了新的可能。 (3) 构筑石墨烯/硅纳米阵列异质结柔性器件，并研究其光电性能。利用金属 I 中文摘要 多层硅纳米线阵列的制备转移及SERS、光电应用 辅助化学刻蚀法制备SiNWs，通过聚二甲基硅氧烷 （PDMS ）包裹转移得到柔性的 SiNWs 膜。基于柔性PDMS 支撑的 SiNWs 构筑了柔性的硅纳米阵列/石墨烯的异 质结光电器件，利用p 型的石墨烯薄膜与n 型的SiNWs 形成异质结，替代了传统 的扩散p-n 结。研究该光电器件对光的响应，柔性性能以及光伏效应等。为将来柔 性SiNWs 在光电方面的发展提供可能。 关键词：硅纳米线阵列 分层制备转移 拉曼增强 光电探测 作 者：王 艳 指导老师：揭建胜 II Multilayer Etching and Transfer of Silicon Nanowire Arrays for SERS and Optoelectronic Application Abstract Multilayer Etching and Transfer of Silicon Nanowire Arrays for SERS and Optoelectronic Application Abstract As a typical