宽禁带半导的辐照效应研究.pdfVIP

摘要 过654673 摘 要 宽禁带半导体的辐照效应研究 凝聚态物理专业 研究生王鸥 指导教师龚敏教授 宽禁带半导体材料GaN和SiC是在蓝色发光和极端器件中很有前途的材 料。也被寄希望在军事和航天等辐射环境下工作。在其器件生产中，电子辐照 和离子注入是常用的工艺。本文对GaN和6H．SiC的辐照效应进行了研究。 能量电子辐照的n型GaN材料中，发现不同能量的辐照诱生了两种不同的缺 陷。由O．3MeV、O．5MeV较低能量电子辐照诱生的缺陷对自由激子(FE)、施主 一束缚激子复合(DBE)和纵向声子(LO)谱线的消退作用较弱，对蓝色发光带 (BL)消退作用较强。由较高能量的lMeV、1．7MeV电子辐照引入的缺陷表现 电子辐照后未经退火的13_一型6H．SiC观察到3条新的尖锐的谱线，位于 道。它们经350℃退火后变的很微弱，经500。C退火后消失。指出它们源于与 单空位相关缺陷。通过对经中子，电子辐照的P型6H-SiC进行PL研究，观 察到一系列高强度的D—A对发光峰，没有观察到与辐照缺陷相关的谱线。 5MeV电子辐照后的P型 通过深能级瞬态谱(DLTS)技术对在O．3MeV和O 电子辐照后，深能级H2出现。根据在SiC品格中使C和Si原子位移所需的 能量，推断出H1源于SiC晶格中C原子的位移，H2源于Si原子的位移。又 H2源于Vsi。 摘要 最后，还对OaN紫外探测器的辐照失效现象进行了初步分析。指出其失 效主要是由器件表面的Si02钝化层在辐照时电离产生的固定正电荷和界面态 导致。肖特基接触特性在辐照后下降也是重要原因之一。 关键词：GaN6H—Sic辐照诱生缺陷光致发光深能级瞬态谱失效 Abstract Abstract of effectsonwide semiconductor Studiesirradiation bandgap state Condensed Physics Ou Min Advisor：Gong Postgraduate：Wang Gallium Silicon wide bandgap carbide(SiC)arepromising Nitride(GaN)and for blue and are materials devices．They extremelyusing fabricatinglightemitting of andastronautic environment to intheradiation mi