沟槽填充的力学晶格蒙特卡罗模拟.pdfVIP

摘 要 随着超大规模集成电路中电子器件尺寸的减小和单位面积器件密度的增加 导致电 子器件尺寸的收缩 金属导线变得更长和更窄了 电子电迁移电阻和电容就不能再忽视 了 而由于电子电迁移引起的延时效应就变得越来越严重了 这严重影响了集成电路的 性能 我们可以通过降低金属电介质的介电常数 金属导线的电阻率和提高电子电迁移 电阻来减小由于延时效应而带来的不利影响 从而提高超大规模集成电路的性能 随着 集成电路中器件特征尺寸的进一步缩小 金属连线的RC延迟和电迁移引起的可靠性问 题逐渐成为影响电路速度的主要矛盾 因此 寻找电阻率较低的导电材料和介电常数 较低的介质材料的研究成为深亚微米集成电路工艺的一大方向 现在人们通常用Cu 来 替代以前常用的Al 来作为超大规模集成电路中的连线 和铝连线相比 铜连线有许多 优点 然而 在微观水平上 人们对沟槽的填充机理还没有充分了解 在填充的过程中 会产生很多缺陷 这种缺陷严重的影响了装置的可靠性 因此为了提高超大规模集成电 路的性能 更进一步的了解沟槽填充的机制以及填充与过程参数之间的关系是非常必要 的 由于超大规模集成电路已经发展到纳米级 通过试验观察沟槽填充的形貌及过程是 非常不易的 因此 建立计算机数值模拟模型对进一步了解沟槽填充机制是很有益的 我们建立了一个动力学晶格蒙特卡罗(KLMC)模型 所谓动力学晶格蒙特卡罗就是每个 沉积原子沉积到表面时必须停留在晶格格点上 吸附原子也只能在晶格格点间跳跃 通 过跟踪大量的沉积粒子在沟槽上的沉积 吸附 扩散 凝聚和生长等行为 对沟槽填充 进行了数值模拟 我们在模型中详细考虑了吸附粒子与最近邻和次近邻粒子之间的相互 作用 我们就入射粒子的截止角 基底温度和沉积速度对沟槽填充的形貌的影响进行了 研究 关键词 超大规模集成电路 沟槽 填充 连线 动力学晶格蒙特卡罗 模拟 吸附 扩散 IV Abstract As decreasing of the electronic device scale in ultra large scale integrated circuits (ULSIC) and increasing of the device density of unit area, the metal interconnection becomes longer and narrower, and the electronic electromigration can not be ignored. Because delay effect provoked by electromigration becomes more and more serious, this seriously affects the ULSIC performance. We could minimize the unfavorable effect due to delay effect by decreasing dielectrical constants of metal dielectrical, resistivity of metal or increasing resistance of electromigration, which can improve performance of ULSIC. With more shrinking of characteristic size of electronic parts of apparatus in ULSIC, the reliability resulting with RC delay of metal interconnection and the electromigration has gradually become the most important subject, which affects the electro ci