环四吡咯r光敏材料及其与tio2半导体作用计算.pdfVIP

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环四吡咯r光敏材料及其与tio2半导体作用计算

Ⅲf删舢栅脚删I舢舢咖洲 Y2567924 中文摘要 中文摘要 四吡咯类染料(如卟啉和酞菁)由于具有成本低、光热稳定性好、分子结构 多样化、易于修饰等优点而在染料敏化太阳能电池应用中备受关注。基于量子化 学理论,设计和计算多个系列钌卟啉、钌酞菁配合物,阐明其电子结构、光谱跃 迁性质和氧化还原电势的规律性。通过改变染料联接基团(-COOH)的取代位置 和变换供体基团种类(使用卤代芳香基替代传统的异硫氰基),提高Ru光敏材料 的电荷注入能力和稳定性,为实验制备新型染料提供理论支持。优化N3染料和半 到6个稳定结构;计算染料与半导体的相互作用能和解析在乙醇溶液中染料到半 导体电荷转移性质;基于含时密度泛函理论计算,得到染料敏化Ti02半导体的电 子光谱。 关键词:环四毗咯Ru光敏材料;半导体氧化物;电荷转移性质:激发态;TD.DFT Abstract Abstract Duetotheirlow cost,good stabe,molecular optical,thermodynacally structure-diversifiedand modified as easily sensitizers(such advantages,tetrapyrrollic and attractedmuchconcem.Basedon porphyrinsphthalocyanines)have quantum andcalculatedseriesofruthenium and chemistrytheory,wedesigned many porphyrin ruthenium clarifiedthe oftheirelectronic phthalocyaninecomplexes,and regularity transitions andredox of structures,spectroscopicproperties potentials.Changes substituedof sortsofdonor insteadof positionanchors(-COOH)andligands(haloaryl traditional electron fromexcitedinto isothiocyanatogroup)have injection dye improved semiconductorand of would thermodynamicalstabilityphotosensitizer,whichprovide theoretical fortheir N3一sensitized suppoa expe

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