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直接在石英面生长石墨烯及其气敏特性研究
摘要 土盘!卫菹盔堂亟±堂僮诠塞
优于绝大多数直接生长的石墨烯。
第四章主要对直接生长在石英衬底上的石墨烯的化学敏感特性进行了测试。利用自
制的测试腔体,通过测量不同浓度二氧化氮(N02)环境下的样品电阻,可以得到样品
的响应率。结果表明,直接生长在石英衬底上的CVD石墨烯比金属催化生长的CVD
石墨烯有着更为出色的气敏特性,尤其对于低浓度的分析物,也能够产生较明显的响应。
第五章主要是对上述工作的总结和未来工作的展望。
关键词:石墨烯化学气相沉积(CVD)石英等离子体气敏材料
论文类型:应用基础
:£塑缏堑塞鲎亟:£堂僮途塞 △垒塾堕盟
Abstract
Inrecent onchemical of
years,research vapor
forit can areaand
graphenedevelopsquickly producelarge highqualitygraphene
filmson metalsuchasNior CVD to
catalyst Cu.However,usinggrowngraphene
fabricateadeviceneedsaseriesof includes
complicatedprocess,whichetching
metalsand ontodielectric of
catalyst transferring substrates.Thus,directgrowth
ondielectricsubstratescould thefabricationof
graphene largelysimplify
devices.
graphene-based
1 abriefreviewof of anda of
graphenesummary
Chapterpresents properties
CVD filmsondielectricsubstratesinrecent main
growngraphene years.Ourgoals
in are included.
andcontentsofresearchthis also
paper
2 showsseveralcharacteristictoolsof suchasRaman
Chaptermainly graphene
Electron Electron
Spectrum,ScanningMicroscope(SEM),TransmissionMicroscope
Force ProbeandUV-VIS-NIR
(TEM),AtomicMicroscope(AFM),Four-point
Spectrophotometer(NKD-8000).
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