碱金属卤化电子俘获光存储材料的制备与发光特性的研究.pdfVIP

!曼查兰苎查釜!妻竺苎—— *p———‘¨”——，—___——_——H’—-—mⅧ——h，一‘—一攮 要 电予弹获车彦料{乍为一耱耨型的光存储介质函为能实现高达 t0％yte／cm2的存健密度秘具有lflS级躲响应时闼，两被撬菇最褥哥能 替代现有光存储介质的毅尘代材料之一。爨裁硬究比较多数是 储材料。然而这两类材料有着一个共同的缺点，就是读出光衰减较 快。因此有必要开发新的材料来填补这个空缺。我们选择具有很好 热群光性质的碱金耩卤纯物稀土掺杂材料作为研究对象。 我翻鑫行设计了制备浚程，并通过眈较光致发先强度选定了合 适的制餐条l牛和最佳的礞±掺杂浓度。渗此剿各出了KCI：Eu”， NaCt：E0+，KBr：Eu2+，KCI、Bb，：Eu-’多最龄米样器。 我们研究了上述样品的光致发光和光激励发光性能，测试了撑 品的发射谱，激发谱，光激励谱和光激励发光谱，发现碱金属卤化 物稀土掺杂材科具有较好的光激励发光属性。通过分析得到发光中 心是Eu2+离子，电予陷阱是街离予空位。 ／我嬲采耀光激融发光、热释光研究了上述材料中电子陷济的性 质、、绘出了深陷腆存在的判握；逶过激藏发光随时闰变毒艺，给崮了 和曲线；通过长波光辐照，观测到了光激融发光昭衰减变化。 激一 级罐们测爨了材料的读出与写入的线性响应范围，达到4个数爨 且读出信号的衰减很慢，这明显好于其他两类材料。由此很 磁碱盒属卤化物是一类住能较好的电子俘获光存储材料。 结合这类辛才糕的先存储特性，我们做了几种使用设想：紫外光一7 凄计，x光影像存髓羼，高容量可撩除耐渎光盘，彩色长余辉显示。f ， 关键词：电子俘获碱金羼卤化物光存储光激励发舞 一 兰妻兰兰查兰篓圭兰苎 一—— 一 Abstract —___———————————一一——一 anew material，with type storage Electron optical Material(ETM)is qYapping to and timelessthan a response supe》shot densityup 1012byte／cm2 storage high f撕next most material oneof isconsideredas optical lOOns．It promising generation focusis ontwo theresearch materials，MFX：Eu(M。Ca， put type storage，Now mainly ofbothmaterialis CI，Br,I)andAs：Eu：sm；ce(A=ca，Sr)．Thedisadv