碳纳米管模法制备sic纳米线的研究.pdfVIP

摘要 一维纳米材料的制备及性能研究是当今凝聚态物理、材料科学等领域研究的热点， 也是最前沿的领域之一。SiC纳米线作为一种一维纳米材料，有着十分优异的场致电子 发射性能，可作为新型电子光源，这将使它在图像显示技术等领域发挥巨大的作用并有 着广阔的应用前景。目前SiC纳米线的研究刚剐起步，仍然处在基础研究阶段，如基本 无法实现SiC纳米线的可控制备，因此急需发展新的制备技术和工艺。本论文研究了以 碳纳米管为模板制备SiC纳米线的技术，在SiC纳米线的可控制各方面做了一些探索性 工作。主要在以下几个方面获得了一些创新性的结果： 1、发展了一种新颖的SiC纳米线的制备技术一碳纳米管模板法：首先制备出碳纳 米管，然后在其上覆盖Si原子经退火合成SiC纳米线。实现了SiC纳米线的可 控制备。 2、用乙炔和氢气在直流PECVD设备中制备出了洁净度高、可控生长的碳纳米管， 这种方法现在报道极少。采用扫描电子显微镜(SEM)观察碳纳米管的形貌，用x 构和成分等特征。系统研究了碳纳米管制备的工艺技术路线，通过调整工艺， 制备出了各种不同参数(直径、长度、密度等)的碳纳米管。 3、在碳纳米管可控制备的基础上，采用在其上覆盖Si原子并退火的方法合成了SiC 察了样品的形貌，用充分的证据证明了用这种方法确实制备出了SiC纳米线。 系统研究了不同工艺参数(退火温度、退火时间及Si覆盖量等)对SiC纳米线的 影响。通过调整工艺，制备出了具有不同参数的SiC纳米线，实现了SiC纳米 线的可控制备。首次发现SiC纳米线的定向性相比原来作为模板的碳纳米管有 了一定程度的提高。退火温度对SiC纳米线的晶化程度有着至关重要的影响， 研究发现，退火温度要达到1200℃以上时才能形成结晶比较好的B—SiC立方结 构。退火时间也对SiC纳米线的结构起着重要的影响，一般来说，时间长一些， 晶化程度也要好一些。 4、研究比较了碳纳米管及SiC纳米线的场致电子发射性质，发现这两种材料的密 度与场发射性能密切相关，当密度比较大时，由于屏蔽效应会造成阈值场强增 强分别为24V／ixm、13v／um和1iv／ixm，随着电极间距的增大，阈值场强降低， SiC纳米线也有同样的规律；在其他条件相同的情况下，长度越长，则阈值场强 越小。在电极间距为200pm情况下，SiC纳米线与碳纳米管的阈值场强分别为 8．6v／11m和21v／u m，SiC纳米线比碳纳米管表现出更加优异的场发射性能。 关键词：碳纳米管，SiC纳米线，磁控溅射，PECVD，场致电子发射 The ononedimenstonalmaterialsthe andfrontierof research iS hotspot and kindof dimensional matter materialssciencefields．Asone one physics researchonSiC nanowireshave fieldemission date，the nanowiresis outstanding capabflity．To onthe have of tocontinuetheresearch．Theof beginningphase，andplentyspaces difficulty todateisunableto nanowires of theresearchwork SiC up