纳米晶氮化薄膜制备的研究.pdfVIP

纳米晶氮化碳薄膜制各的研究 摘要 摘 要 本文主要论述了采用弧光放电(Arc HollowCathode (DC 中重点研究的直流空心阴极等离子体放电方法是一种新的制备纳米氮化 碳薄膜的方法。另外，作为早期的附加工作，还对不同放电方式的等离 子体发射光谱进行了研究，其中包括介质阻挡放电(DBD)、空心阴极放电 (HcD)和彭宁放电(PD)三种放电方式。 在研究初期首先采用的是弧光等离子体放电装置，利用这种方法成 功制备出了氮碳薄膜，但所制备的膜的均匀性较差，主要是由于弧光等 离子体电流密度过大、溅射强烈，容易形成大颗粒的碳团簇，由此造成 膜的致密性差。基于此原因，又自行设计并搭建了一种新的等离予体放 电装置一一直流空心阴极等离子体放电装置。通过对直流空心阴极放电 过程的研究，证明其是一种介于正常辉光放电与反常辉光放电之间的一 种特殊的辉光放电形式。它具有工作气压高，维持电压低，阴极溅射率 高等特点。通过测试工作气体压强对放电的影响，得到了空心阴极放电 的最佳工作气压在90一160Pa之间。通过对其发射光谱的分析，得到了放 电等离子体中的粒子包含c2、CN、N2+等能反应合成氮化碳的重要离子 和原子团。通过借助对氩气等离子体的近似计算得到了空心阴极放电中 的电子温度在1．7．2．6eV的范围。并且通过郎缪尔探针诊断计算得到了电 子、离子的浓度随着放电电压与气压的变化在107_108ClTI。之间变化。 利用空心阴极放电等离子体溅射技术在si(100)基片上合成了高质量 的氮化碳薄膜。从用扫描电镜获得的表面形貌图可以得出薄膜的表面均 匀致密，平均晶粒大小在0-50nm之间。当在基片上增加负偏压，能够 提高沉积速率并且使薄膜表面更加致密。为了研究薄膜的结构，采用了 I 纳米晶氮化碳薄膜制各的研究 摘要 CN为基本键合 CN和sp3 膜进行分析。XPS分析结果表明CN膜是以sp2 结构的混合相体系，薄膜的含氮量高，氮碳比接近构成超硬结构的C3N4 分子中的氮碳原子比。结果还表明增加负偏压能够促进C的sp2和sp3杂 晶体氮化碳13相结构(211)面的衍射峰。红外和拉曼光谱测试结果表明 膜中存在的化学键主要含有C．N、C=N、C；N，以及晶体结构主要为B 相和oc相等多晶结构。 所有的数据及研究结果说明，采用直流空心阴极等离子体放电方法 来制备纳米氮化碳薄膜是一种十分有效的方法，它具有设备简单、使用 电源电压低、产生的等离子体密度大等优点，同时所制备的薄膜均匀致 密，含氮量高，是一种纳米多晶结构的氮化碳薄膜。该装置可以作为等 离子体源，用于在大尺寸的部件上沉积制备氮化碳薄膜，所以说其具有 广阔的工业应用前景。 关键词：氮化碳薄膜，直流空心阴极放电，弧光放电，等离子体，发射 光谱 2 纳米晶氮化碳薄膜制备的研究 Abstract Nitride of Carbon Nanocrystalline InvestigationPreparing Film Thin Abstract filmshasbeen