zn-b-i-o纳米复合物助烧剂及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征.pdfVIP

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  • 2015-10-27 发布于贵州
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zn-b-i-o纳米复合物助烧剂及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征.pdf

zn-b-i-o纳米复合物助烧剂及其掺杂钛酸钡基介电陶瓷的制备与表征

摘要 钛酸钡是典型的铁电体,是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一,被誉为“电子陶瓷 工业的支柱”。钛酸钡基多层陶瓷电容器(MLCC)具有体积小,容量大,可靠性好, 介电常数高等优点,是众多的电子元件中应用最广泛者之一。由于BaTi03的烧结温度 过高,使MLCC只能使用钯、铂等高熔点、难氧化的贵会属作为电极材料,导致设各 和材料的成本大大提高。低熔点玻璃被广泛的应用于BaTi03基陶瓷的低温烧结。但由 于玻璃熔制温度较高,使某些组分挥发(如B203),造成成分偏离。而且由于制备的 玻璃粉颗粒较大,使其和陶瓷粉体不能混合均匀,在烧结过程中易出现桥跨现象,导致 陶瓷晶粒异常长大,气孔增多,密度减小,性能恶化。本文采用s01.gel法制备 制备了BaTi03基复相陶瓷和中温烧结的高介X7R型BaTi03基瓷料。 并且比较了两种助烧剂分别对钛酸钡陶瓷的助烧效果。研究表明:随着煅烧温度的提高, 增大,成胶速率加快,粉体的平均粒径增大。当溶胶的pHY寸2,煅烧温度为400℃时制各 瓷比掺杂ZBSO玻璃的陶瓷具有更高地介电常数和更低的介电损耗。 2.制备TZBSO玻璃和ZBSO纳米助烧剂掺杂纯钛酸钡陶瓷。研究了纳米助烧剂的 煅烧温度、助烧剂的用量以及陶瓷的烧结温度对陶瓷相组成、微观形貌和介电性

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