14光电倍增光敏电阻.pptVIP

每一光敏电阻都有额定的最大耗散功率Pmax，工作时如果超过这一值，光敏电阻会很快损坏。因此。可得出偏置电压必须满足条件 式中Pmax由图所示的功率线示出。 为光电导探测器的温度系数，式中R1和R2分别为在某光照下，温度为T1和T2时的亮阻值，显然TC值越小越好。不同材料制作的光电导探测器有不同的温度系数，而且有正的也有负的。 定义 光敏电阻的噪声来源主要有三个，即产生一复合噪声、热噪声和1／f噪声。 光电导探测器的光学和电学性能受温度的影响较大，而且较为复杂。 主要光敏电阻的分类、用途及特点 按光谱特性和最佳工作波长范围， 光敏电阻分三大类； 1．对紫外光(0.3～0.41μm)敏感 ZnO、ZnS、Sn02、 CdS、CdSe材料制成。 CdS对x射线α、β、γ射线也很敏感。 可制作探测上述各种射线强度的剂量计或计数管。 2．对 (0.4～0.76μm)敏感的光敏电阻 CdS、CdSe等半导体化合物材料。 主要用于制造自动控制元件，如产品计数器、路灯控制、照相曝光控制、电影拾音及激光测距等。 CdS光敏电阻分为单晶型和多晶型两种。可用来探测穿透深度较大的x、α、β、γ射线，做成上述的高能射线探测器。 (1)CdS光敏电阻 在可见光范围内，CdS的光谱灵敏区在0.3—0.5μm之间， 不同照度下有不同的伏安特性都是直线。说明光敏电阻的阻值取决于光照度大小 照度大，阻值小； 照度小，阻值大。 中等照度下，光敏电阻功耗最大。 CdS光敏电阻的伏安特性(光电流—电压曲线)如图所示。 注：照度表示被照明物体的单位面积所接受的总光通量，照度的单位是勒克斯。一勒克斯为一平方米面积上接受一流明的光通量，单位是Lm／m2 CdS光敏电阻的响应时间曲线如图所示。它的光电流上升与下降时间与光照度有关，照度越大，响应时间越短。在500勒克斯照度下，典型的响应时间为0．1秒。 多晶型CdS光敏电阻由于感光面积大，可以得到较大的光电流。在 10伏工作电压和50勒克斯的照度下，可得到7～10mA的光电流。 不同照度下有不同的曲线，但是随工作温度降低，平衡载流子浓度下降，引起暗电导率下降，使相对光电导率上升。 CdS光敏电阻的光电导率一温度曲线如图所示。 ? 光谱响应峰值在0.67μm左右,对红光也很灵敏.如果引进适当杂质，它的光谱响应峰值还可以向长波长移动,达到0.8μm左右。 （2）CdSe光敏电阻 CdSe比CdS更快的响应速度。CdSe比CdS光敏电阻的衰减速度快10倍左右。 CdSe光敏电阻在高照度下的灵敏度大致与CdS相同，但是低照度下，CdSe光敏电阻的灵敏度低于CdS。 这是因为CdSe中空穴电离能(0．68eV)比CdS的1．0eV)低，在CdSe中被陷阱俘获的空穴可较快放出，使其电荷倍增效应较差。 CdSe光敏电阻的主要缺点是其灵敏度随工作温度变化较大(见图)，低照度下灵敏度低。 三类材料红外光敏电阻 第1类 窄带隙材料，PbS、PbTe、PbSe、 InSb。 第2类 带隙可随组份调变的三元材料，如HgCdTe、 PbSnTe等。 第3类 分别掺有Au、Ni、Cu、Zn、Ga、P、B等杂质 的Ge、 Si、GaAs的杂质光电导材料。 使用时注意，在中红外以上波段(4um以上应用时，光敏电阻需降低工作温度到77K或4．2K，以减小热激发，增大光电导增益，提高探测率。 3．对红外光(0．77～1．5μm近红外区， 1．5～6．0μm中红外区， 6～40μm远红外区， 40～100μm极远红外区)灵敏的光敏电阻 本征光电导材料。 (2)薄膜型PbSe光敏电阻 中红外光探测器。 室温下峰值响应在3．8μm， 77K时为 5．1μm。 室温下峰值探测率，响应时间2us。 温度77K，响应时间延长到40us左右。 红外光敏电阻 (1)薄膜型PbS光敏电阻 (适用小于3μm)探测器。 在室温(20℃)时，峰值响应在2．1μm， 195K时 2．8μm 用于3～5um波段。采用高频氧反应溅射PbTe薄膜工艺，制成高质量的光敏电阻。