软磁合金薄、薄膜和三明治结构的巨磁阻抗效应.pdf

山东大学博士论文 软磁合金薄带、薄膜和三明治结构的 巨磁阻抗效应 摘 要 i随着磁传感器和磁记录磁头的迅速发展和广泛应用，与磁 ‘ 场有关的电子传输现象日益受到人们的重视，这一领域目前已 发展为磁电子学或自旋电子学。1992年，日本的K．Mohri等人 首先报道了Co基非晶软磁合金CoFeSiB非晶丝中的巨磁电感效 应。当丝中通一交变电流时，丝两端感应的交变电动势受沿丝 轴向加入的外加磁场的影响而发生高灵敏度的巨大变化。在低 频(1-10kHz)趋肤效应不明显的情况下，这种变化主要是由丝 的电感变化引起的，称为巨磁电感效应。在高频(0．1—10MHz) 下趋肤效应变得重要起来，丝的电感分量和电阻分量同时受到 外加磁场和电流频率的影响，表现为巨磁阻抗(简称GM0效应。 G／VII效应产生的机理简单地说是由于材料的阻抗是材料磁导率 的函数，高频下，电流的趋肤深度也是磁导率的函数，对具有 高磁导率的软磁材料，磁导率随外加磁场的变化而发生高灵敏 度的变化，这样磁场通过磁导率及趋肤深度以高的灵敏度影响 材料的阻抗。 巨磁阻抗效应的优点是快响应、无磁滞、可以做成微型器 件，做成器件后探测的是磁通量，而不是磁通量的变化，是无 线圈结构，属于非接触型探测。同时GMI效应使用的是交流电， 这为实现许多特殊性能提供了方便，例如调制和解调，振荡和 共振等。GMI效应的灵敏度比在多层膜和颗粒膜中已发现的巨 磁电阻(GMR)高出一个或两个数量级，而且饱和场低。GMR效 i 应的磁场灵敏度最高可达2％／Oe。而软磁合金细丝中的GMI效 应的磁场灵敏度高达1700％／Oe，饱和场只有几十Oe。所以人 们认为GMI效应比GMR效应具有更大的应用潜力，特别是在 高频微型磁传感器件中可以发挥它独特的优势。 从GMI效应发现至今，对于Co基非晶材料的GMI效应研 究较多，对Fe基材料特别是Fe基纳米晶材料的GMI效应研究 的较少，而Fe基纳米晶软磁材料具有优异的软磁性能，它具有 小磁致伸缩系数，高磁导率，高饱和磁化强度和高居里温度等 优点，是研究GMI效应的理想材料。另外迄今为止研究GMI效 应的材料多为细丝和薄带，薄膜研究的较少，多层膜研究的就 更少。由于器件向小型化和微型化方向发展，研究薄膜GMI效 应日益迫切。至今对薄膜的GMI效应研究的材料还不够丰富， 物理机制还不够系统和深入，因此对Fe基纳米晶薄膜GMI效应 进行研究，在理论和应用两方面都有重要意义。目前研究表明， 材料的各向异性是影响其巨磁阻抗特性的重要因素，所以研究 不同的各向异性对GMI效应的影响也具有重要意义。因此j烽 论文在以下几方面做了系统工作： 1．用射频溅射法制备了单层的FeCuCrVSiB薄膜样品，样品 进行适当的退火处理后，形成纳米晶结构。研究了退火温度、 有效磁导率、交变电流频率和磁场对纳米晶FeCuCrVSiB薄膜的 巨磁阻抗效应的影响。 2．制备Cu和Ag为夹层的三明治结构。将样品在各种温度 下进行退火处理，形成不同退火态样品，研究样品的结构和GMI 效应，研究三明治结构的GMI与电流频率和磁场的关系。 影响，主要研究不同磁场退火感生的各向异性对GMI效应的影 响。 、 山东大学博士论文 品在高真空(1x10jTorr)系统中在不同的温度下进行自然退火 处理，得到不同退火态的样品。 对CoFeNiNbSiB薄带采用了综合磁场退火方式，即先在高真 系统中，在居里温度以下进行横向磁场(磁场垂直于薄带的长方 向)和纵向磁场(磁场平行于薄带的长方向)退火处理，制成不同 磁场退火态的样品。 用HP4192A阻抗分析仪测量阻抗和有效磁导率。交变