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铁电隧道结的界面效应 中文摘要 铁电隧道结的界面效应 中文摘要 近年来，由于铁电材料在纳米电子器件中的潜在应用，掀起了对铁电材料研究的 广泛兴趣，尤其是对铁电隧道结的研究。同时随着纳米薄膜制备技术的发展，实验室 已经能够制备出1纳米的超薄铁电薄膜，由于衬底材料和铁电薄膜之间的应力作用， 使得铁电薄膜在超薄情况下仍保持铁电性。对钙钛矿铁电氧化物的实验研究显示，当 材料的尺寸降低到纳米尺寸时仍可保持良好的铁电性，这使在隧道结中使用铁电薄膜 作为势垒成为可能。由于极化与外电场平行和反平行时铁电隧道结的隧穿电阻比值可 3 4 以达到10 -10 数量级，因此铁电纳米薄膜电容器结构可以用作新的存储器件，利用高 电阻态和低电阻态来实现逻辑上的―0‖和―1‖ 。与传统存储器相比，铁电存储器具有读 写数据的速度快和能耗低等优点。本文主要研究了微小偏压和有限偏压下界面对铁电 隧道结电输运的影响，以及势垒的空间相对位置对复合垒铁电隧道结电输运的影响。 研究发现界面极化大小和方向以及界面介电常数对铁电隧道结的隧穿电阻有重