金属镍硅化的电学性质研究.pdfVIP

摘 要 研究了不同退火温度镍硅化物半导体结构的基本电学特性。在低温度退火 (5000c)的镍硅化物中，DLTS测试发现大量杂质引起的深能级缺陷，进一步的研 究表明这些深能级是退火时随镍扩散进入硅材料内部的。对样品的C—V和I— v测试发现，各种退火温度的样品都能形成遵循热电子发射理论的肖特基势垒。 对低退火温度样品，由于存在较高浓度的深能级缺陷，使得反向电流明显增大。 对镍硅化物与硅的界面特性进行研究，通过测量从78—300K的温度范围 内的I—V特性，发现镍硅化物与硅的肖特基势垒接触并不是均匀分布，结果 表明镍硅化合物中的不均匀肖特基势垒分布遵循高斯分布。同时还研究了这种肖 特基势垒的不均匀性对镍硅化物电学性质的影响。 研究了Ni／Pt双层膜与硅固相反应生成的Ni(Pt)Si膜的热稳定性及其他电 学特性，发现含有Pt的NiSi膜的物相稳定温度可以达到850。C，比不含Pt的 膜提高了100。c以上。结合样品肖特基接触的正反向特性电学测试结果，发现 这种硅化物合适的退火温度为400—800。C，此时形成的膜具有较好的接触特性和 较低的电阻率。 关键词：硅化物，深自i；赢态谱，肖蒋囊势垒，铲赦 Abstr