量子点中杂势约束的少体体系的电子结构.pdfVIP

摘要 摘要 量子点是三个方向都受到量子约束的准零维体系，典型量子点是在二维半导 体异质结的基础上制造的。量子点除了在技术上有着广阔的应用前景，在理论上 也为研究量子体系的多体效应提供了一个良好的平台。 通过改变外加磁场可以调节电子间的平均距离进而改变电子．电子间的相互 作用。那么，除了磁场之外，还有什么因素会影响电子之间的相互作用呢?当系 统的维数降低时，由于结合能的增加，带一个单位的正电荷可以吸引两个电子， 形成带负电的D一。作为最简单的不可用解析求解的多体体系，量子点中的D一体 系为研究电子之间的相互作用、量子点边界的约束和外加磁场对体系的电子态结 构的影响提供了一个绝好的素材。 在这篇文章中我们用严格对角化方法对非圆形GaAs量子点中的D一的体系 进行了理论研究，并得到了外加磁场下D一体系的稳定性相图与杂质位置的关系。 在零磁场下，当杂质非常靠近量子点边界时，D一解体。在磁场下，当杂质处于 量子点中心时，D一体系始终是稳定的；当杂质从量子点中心向量子点边界移动 时，磁场会引起体系的解体。这个现象很充分地表现出了量子点边界和磁场对电 子．电子相互作用和电子．杂质相互作用的影响。 关键词：量子点，杂质态，严格对角化方法，Cl方法 中图分类号：041，0469 ^bstract Abstract tWO dotsarenanoscaleelectronic fabricated Quantum using objects，typically dimensionalsemiconductorheterostructures．Inadditionto promisingtechnological dots excellentsourcesof represent interestingmany—electron applications，quantum quantumphysics． The can electron-electroninteraction field controlthe appliedmagnetic by the distancebetweentheelectrons．Whethedimensionofthe tuningaverage system is donorcanholdtwoelectronsduetothe lowered，the increasingbindingenergy． the unsovable innon—circular Beingsimplest many-bodysystem，theD—system dotoffersa to theinfluencesfromboththe quantum goodopportunitystudy confmementfrom dotand filedonelectron—electroninteraction q