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非晶siolt;,x
摘要
SiOx纳米线因其优异的性能在光通讯、光传感、催化、环境敏感材料的保护
等领域中显示出了良好的应用前景,因此人们尝试了很多方法制备SiOx纳米线
并对其生长机制进行分析,其中气一液一固机制得到了人们的广泛认可。但该机
制涉及到很多复杂的化学过程,而这些化学过程受到反应腔中温度、压强、气流
等多种参数的影响,甚至反应腔的设置、尺寸大小、几何形状和其它某些未知因
素对最终反应产物也有一定的作用,所以SiO。纳米线气一液一固机制的生长过程
及相关细节尚未完全明确,而这些过程与细节的全面准确理解对SiO,纳米线的
可控制备和相关应用至关重要。
为此,我们自行研制了一台CS.25激光诱导高温化学气相沉积装置,该装置
的加热炉体和石英管反应腔的尺寸都设计得较小,因此反应腔内部的温度、气流、
压强都具有较好的均匀性和高度的可控性。依托这台装置,我们采用简单的方法
在Si片衬底上制备出灰白色粉术状样品,利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子
进行分析和表征,结果表明该样品为SiO;纳米线。通过精确调节反应腔中的温
60min,我们捕捉到了SiOx纳米线的催化、形核、生长的整个过程和细节,通过
对这些过程的细致分析,我们取得了对VLS生长机制的更细致更透彻的理解,
同时还提出了阶段性粗细不均的纳米线形成机理,这些都为SiO。纳米线的可控
制备及相关应用提供了关键性的依据。
另一方面,制备的SiOx纳米线由于受自身尺寸限制,尤其是表面纳米曲率
效应影响,具有一种结构上内禀热力学不稳定性,利用这种不稳定性可以对SiOx
纳米线进行精确修饰与纳米加工使其更好地应用在纳米光电器件等各种领域中。
为此,我们也对SiO。纳米线的修饰和纳米加工进行一些探究性的实验。在SiO。
纳米线的修饰方面,我们通过在纳米线表面沉积一层Au薄膜后高温退火的方法
制备了表面上有Au纳米颗粒修饰的SiO。纳米线的新结构,同时还利用高能常规
电子束诱导下不同纳米线之问的物质传递制备了同轴复合结构的纳米线;在SiO。
纳米线的纳米加工方面,我们研究了不同束斑大小、不同辐照位置的聚焦电子束
对SiOx纳米线的纳米加工,发现纳米线的径向收缩是电子束辐照下的一个普遍
存在的现象,而沿旁边辐照且束斑较小的电子束还可以引起纳米线的切割,沿中
心辐照且束斑大的电子束还可以诱导纳米线有趣的“S”形弯曲变形。同时,通
过对这些实验现象的深入分析,我们发现纳米线的“纳米曲率效应”和束辐照超
快过程中的“软模效应”是在实验中诱导SiO,纳米线的修饰和加工的主要因素。
关键词:SiO。纳米线;制备;修饰;加工;纳米曲率效应;软模效应
Abstract
nanowirewithits holdsalotof
SiOx uniqueproperties prospectiveapplications
infieldssuchas environments
opticalcommunication,opticalsensing,catalyzing,and
methodswere for nanowirefabricationandseveral
SiOx
sensingetc.Many attempted
mechanismswere for which
correspondinggrowth proposedelucidating,among
isthemost
vapor-liquid-solid(VLS)mechanismwidely
withtheVLS chemical are involvedand
mechanism,complicatedprocessesnormally
thustheoverall iscontrolleda
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