福州大学物理系 电磁学 磁力.ppt

磁场对运动电荷的作用 磁场对载流导线的作用 * 带电粒子在磁场中的运动 说明： 1. 洛伦兹力F的方向垂直于v和B所确定的平面。 2. 洛伦兹力F不能改变带电粒子速度v的大小，只能改变其运动方向。 1. 运动方向与磁场方向平行 ? = 0 F = 0 + B v 结论： 带电粒子做匀速直线运动。 周期： 频率： 带电粒子做匀速圆周运动，其周期和频率与速度无关。 结论： 2. 运动方向与磁场方向垂直 v F ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? + B R 运动方程： 3. 运动方向沿任意方向 半径： 周期： 螺距： 结论：螺旋运动 ：匀速直线运动 ：匀速圆周运动 磁聚焦 电子枪、电子透镜 电子的飞行速率 周期 螺距 屏距 θ e 图 电子枪示意图 （图 例，n=2） 电聚焦与磁聚焦 改变电场E，即改变υ 图 电子束的磁聚焦 t L 改变磁场B， 均改变 t，L 磁约束 约 束 力 I 图 正离子被磁约束示意图 荷质比的测定 W.Thomson 测荷质比的方法 当E 和B 的值适当时，可使电子束不偏转，即 由式⑴、⑵得荷质比 ， 或 ⑴ 切断电场，电子在磁场中作圆周运动，圆周半径 ⑵ × × × × × × × × × × × × × × × × × × + + - - k A A’ S o o’ 图 汤姆孙测荷质比 -e -e 电子运动出磁场后依惯性前进。由屏S上光点偏移量oo’和仪器参数可测算出R的值。其参数包括结构尺寸，电、磁场分布等。 荷质比与速度有关，这符合狭义相对论观点 磁聚焦法测荷质比(略) 如图，A—k间加电压ΔU，电子的动能 ， 即 在电容C上加一小交变电场，使不同时刻通过的电子偏转不同。 在C与S之间加聚焦磁场B，调节B，使电子束聚焦于屏S平面上，则 ⑶ ⑷ 由式⑶、⑷得荷质比 l k A C S o 图 磁聚焦法测荷质比 -e △U 其结构为金属双 D 形盒，在其上加有磁场和交变的电场。 由于金属具有静电屏蔽作用，带电粒子在磁场的作用下作圆周运动，进入缝隙后，电场极性变换，粒子被反向加速，进入右半盒，由于速度增加，轨道半径也增加。然后又穿过缝隙，电场极性又变换，粒子不断地被加速。 将一粒子置于双 D形盒的缝隙处，在电场的作用下，进入左半盒。 ~ B B 回旋加速器 目前世界上最大的回旋加速器在美国费米加速实验室，环形管道的半径为2公里。产生的高能粒子能量为5000亿电子伏特。 世界第二大回旋加速器在欧洲加速中心，加速器分布在法国和瑞士两国的边界，加速器在瑞士，储能环在法国。产生的高能粒子能量为280亿电子伏特。 霍耳效应 1879年，霍尔（E.H.Hall，1855－1936 ）发现，把一载流导体放在磁场中时，如果磁场方向与电流方向垂直，则在与磁场和电流两者垂直的方向上出现横向电势差。这一现象称为霍耳效应，这电势差称为霍耳电势差。 + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - V1 V2 I I 动态平衡时： x y z ?V - - - - - - - - - - - I I + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - d b B - v KH 称为霍耳系数 霍耳系数RH 与载流子密度n成反比。在金属中，由于载流子密度很大，因此霍耳系数很小，相应霍耳效应也很弱。而在一般半导体中，载流子密度n 较小，因此霍耳效应也较明显。 令： 如果载流子带正电荷，则 载流导线在磁场中受的力 设：载流子数密度 n 电流元截面积 S 电流元中的电子数 nSdl 载流子电荷量 q 作用在电流元上的作用力： 安培定律 ： 安培力： 磁场对电流的作用力 安培力的基本计算公式： r x ? I2 I1 例1 无限长直载流导线通有电流I1 ，在同一平面内有长为L的载流直导线，通有电流I2 （如图所示） 。求长为L的导线所受的磁场力。 解： dx x l dl a I1 I2 平行电流间的相互作用 单位长度受力： 电流单位：“安培”的定义 设： I1 = I2 = 1 A，a = 1 m 单位长度导线受到的磁场力： a I1 I2 F12 F21