氢化纳米硅（na-Si：H）薄膜太阳电池的分析.pdf

串文攘要 氧化纳米硅(na-Si：H)薄膜太阳电池研究 攘要 人类社会的和平、文明进步和可持续发展是其永恒主鼹。～次能 源面临|fi譬蜗和其使用弓l勰的环境污染问题滩以满足人类社会可持续发 爱豹鬟瑟。嚣懿，开发剩爆可再生夔滂潼麓澡并箨为替代熊源裁为全 搴圭会慧露解决静大}蘧邋。太羯麓箨秀联之不尽、矮之不淄爨无污染翡 绿色能源，成为首选目禄之一。 太5鼹魄池是将太阳光熊直接转换成电能的一种器件，网黼已商业 纯豹太鞠魄波是曩葵疆攀藤蘧秽多燕穗)太疆逮逮释嚣熬醚薄簇太 鬻亳港等穗系列太鞭奄滚，毽晶体硅太藤曦浚具有原瓣瓣漓怒大、成 本高和禽黩源偿还时间(EPT)长的缺点，而非晶硅薄膜太阳魄池虽克服 了晶体碱太阳电池的上遮缺点，又存在转换效率低和光致衰减(S-W 效鑫)勰越，其毽诸多貔会貔太鬻毫洼裂受滚滚袋割荠存凌瓣繇凌熬 友善离题。蔽诧寻我一种转换效率嵩、低衰减显成本您、爨源丰富无 污染并斌予大面积生产的太阳电池，是光伏科学界的挑战，也是太阳 能光伏发邀承担从羚充熊源到替代能源转换躺历史任务必须优先解决 熬蠢趣。 氮化缡米疆薄膜(ha—Si：}l是鸯绱米缎谴晶粒和晶粒问箨的非晶 硅(a—Si：H)组成的两桐混合体系。纳米尺艘效应使其舆商优异的光 电特性秘光敏性，离巍吸竣系数：赢邀譬攀，兜电导在光照下懿襄减 小。鸷别是蹩子只寸效应导致na-Si：嚣魏光学豢豫与其平均潞粒尺寸 及晶态院舆有一定的变能娥律。利用／la—Si：}{的上述特点，穰据太耀 上海交通大学褥士攀位论文 电池能澄工程理论，霹按太阳电池各功熊爆对光电参数的瓣要，设计 并钢佟纳寒硅薄膜太隧电波。 零论文囊鼙子淹穷模蓬遴谂(HQD)磷究了缡岽蘧薄膜的邀学籍性； 滚的瓒论效率褥遮22。13％；采糟骞圣频溅射(RFS)法和等离子体增强纯 学气辐、援救(p裟V蚤)方法裁餐了萋纯续淤谴薄膜，并逶避摄予力显激 光谱、缎外光谱(IR)黻及吸收透射谱等方法进行表征、测试帮器究 了na—Si：鞋酶结构、巍鬻、电学特性，并根据缡米尺度毅艘瓶瑾，运 臻萋予建寸效痤孳l起熬赘隙建窒效藏理论，分擀了塞验中获褥瓣 na-Si：}{颥粒尺度翥鑫淼貔与英巍攀繁黢静荑系溉德；慕鬻怒镑工程蹶 壤，首次议诗出渐变光学带陈的氢纯缀寒麓薄膜p-i—n太阳魄滚并建 立该型太阳电池畿带模激。首次采用na—Si：}{，遴用PECVD方法成功制 餐了渐变竞学带豫氢鼹绒寒谴薄膜p-i-n太鞭邀逢，巍泡转换效枣达 硅异质缭太鬻邀池，光魄转换效率达13。80％恝13。50％(Pb澎蕊积： 类太阳电、泡的闰际先进和国内领先水平。从理论和实验两方筒证明了 纳米穗薄膜太鹚电池嶷簿赢效率、低成本嬲可大媲模生产的特点，对 na-Si：}l薄骥太麓邀池的撬搂诧工整生产肖重要意义。 零论文共七牵，第～章帮第二章灸概港，分耩了人类社会露睡酶 麓源鞠蠲壤形势，分缨了凰内外太姆电浊鞠纳米硅薄膜的辩硬和产业 酶发展歉水平，沦述了熬纯纳米硅薄膜的结构、制备方法发光魄性矮， 【l 中文摘要 分析了纳米硅薄膜的导电机制和I—V特性，给出了修正的纳米硅薄膜 能带模型，简介了纳米硅薄膜的射频溅射和PECVD制备方法，分析了 在室温条件下理论计算与实际测量结果之阀存在差别的原邈及存在闻 题，导入纳米硅薄膜太阳电池的优势。 第三章主要运用能带工程原理和na～Si：H颗粒尺度和晶态比与其 光学带隙的关系规律，论述了na—Si：}{可以根据太阳电池的各功能层 的需要，调制光学带隙秘设计其纯光电参数，实现了渐交带隙na-Si：}{ pin太阳电池的结构和能带设计。并通过采用依据有限元法和 Poisson方程的磁PSl玲软件对其进行了模圣薮，比较了渐变带隙纳米硅 薄膜太阳电溘与常规纳米硅薄膜太阳电泡的模拟结果，优化了i层厚 度，表明渐变带隙的na—Si：H薄膜太阳电池具有更高转换效率和光谱 响应，获得了渐变带隙的lla～Si：H薄膜太阳电池的理论效率，这为渐变 带隙薄膜太阳电泡的制备提供了理论铱援。 第豳章测试分析了氢纯纳米硅薄膜样晶的结构特性、光学特性、 段，对鼹射频溅射法制餐的氢化纳米硅薄膜襻品进行了袭槎溅试分析 研究。结果袭明，两种方法制备的纳米硅薄膜内颗粒尺寸都与薄膜生 长过程中的氢气分压有密切关系。 第五章介绍了PECV