zno基纳米薄的制备与物理化学性质研究.pdfVIP

Y657463 中文麴要 ii■麓i眷黼ii羞 j黛i黛黼ii黼ii黼I———————J—IIll—[———————赫I 中文摘要 纳米ZnO怒羲要静；1．v{族半导{奉耪料，由予颗黢实蕊超微粒子亿， 不仅鼷楣缝梅、电予结拳曩与大块体楗不同，英热学、惫学、磁掌茅嚣光学瞧 囊也表褒密专髯毪蔟，在光电转换、气敏後感器、l先谨亿等领域有着重罄 静应髑，并盈产、韭纯兹豢看好，成为胬蔫凝其有开发潜力的齐才辩之一。而 元素掺杂楚改警糟糕牲蒺懿有效途经。墓就，对氧化镎蒸续米薄骥静翩备 与耱溪纯擎懂鬟避行疆究其商鲞簧豹意义。 本文以溶黢一凝黢法制备氧纯锌蒸翁米粉体及薄胺，采用UⅥVis、 行了系统静表锾。详缩磷究了氧纯锌蒸缡米薄膜在塞溢下对不同链长的醇 类气体懿气激稳质、不同气氛下熬处理看薄膜的发光性质，同时对氧化镩 获其掺杂粉体懿巍镁往髓能遴行了裙探往研究。薄膜气敬馥研究表鞠，戢 懿掺杂使ZnO袋电阻泽低；Cu的掺杂使薄膜对正丙醇的选择褴增裔，可 裣溺瘾量(100 ppb)箭正丙簿；Mn掺杂薄膜箍示出很好的氨敏和澎敏性 畿。ZnO基薄膜的发光穗蘑磺究发现，氮气下熟处理后的薄膜，蓝光发掰 褥劂了鞠显缮强，磷氢气下熟簸疆后的薄膜，紫外发射显著增强：Tb的 掺杂可{三l改变氧化锌的发光雠质，氯气下熟处理后。掺杂膜的荧光光谱由 胃觅发光主蜂交为紫矫袋光主峰。另外，纯ZnO耪体对永杨酸具有较好 的光催纯活往，而骶的掺杂在310nm波长的光照下可擞著提高其光催化 活性。 关键词：氧化锌，纳米薄膜，掺杂，气敏传感器，发光，光降解 英文捅耍 Abstract zinc semiconductors oftheII．VI oxide(ZnO) Asamember compound for an researchinrecent itS underextensive hasbeen years unique in different hasbeen used properties．It widely many physicochemical as sensors．as devices，chemisorption optoelectronic gas applications，such as withdifferentelementscan well materials。etc。Doping photo-degradation do on it