CIGS太阳电池及研究进展.pdf

Cu(In, Ga)Se2 薄膜太阳电池研究进展 李长健，乔在祥，张 力 作者简介：李长健(1936—) ，男，天津市汉沽区人，南开大学教授。20 世纪 80 年代初开始 非晶硅薄膜太阳电池研究，研制成我国第一块非晶硅肖特基势垒太阳电池(Au/a-Si)和我国第 一个以非晶硅电池制作的标准电池并主持起草了关于非晶硅太阳电池测试方法、标准电池和 光谱响应测试等三项国家标准。20 世纪 80 年代末期开始从事 CIGS 薄膜太阳电池研究。先 后完成“高效四端薄膜太阳电池”、“CIS 薄膜太阳电池研究”、“CIS/CdS 薄膜太阳电池开发 2 研究”等天津市和国家科委的攻关项目，1999 年 1 cm 小面积电池效率达到 9.13%，为国内 领先水平。2001 年起参与国家“十五”“863”项目“铜铟硒太阳能薄膜电池试验平台与中 2 试线”的研究工作。2003 年 1 cm 小面积电池效率达到 12.1%。目前，小面积电池效率已接 近 15%，开始大面积 CIGS 光伏组件的开发研究，同时开展了柔性和非真空法等新型的CIGS 电池研究，为我国CIGS 薄膜太阳电池的产业化打下了坚实的基础。 本文其他作者单位：南开大学信息技术科学学院 光电子研究所 天津 300071 Cu(In, Ga)Se (CIGS)是 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有黄铜矿晶体结构，以它为吸 2 收层的太阳电池称为 CIGS 薄膜太阳电池。此电池具有如下特点：(1)光电转换效率高。2008 年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积 CIGS 薄膜太阳电池光电转换效率已达 到 19.9%，是当前各类薄膜太阳电池的最高记录。(2) 电池稳定性好，使用过程中性能基本无 衰降。(3)抗辐照能力强，用作空间电源有很强的竞争力。(4)弱光特性好。(5)三元 CuInSe2(CIS) 薄膜的禁带宽度是 1.04 eV，通过适量的 Ga 取代 In，形成 CIGS 四元多晶固溶体，其禁带宽 度可在 1.04～1.67 eV 范围内连续可调。(6)CIGS 是直接禁带材料，其可见光吸收系数高达 5 －1 10 cm 数量级，非常适合太阳电池的薄膜化。(7)技术成熟后，电池制造成本和能量偿还时 间均低于晶体硅太阳电池。从这些特点，可以看出，当 CIGS 薄膜光伏组件大规模生产时， 它必将在光伏市场上占据重要位置。 CIS 薄膜材料是在 1953 年由 Hahn 首次合成[1] 。1974 年，Bell 实验室的 Wagner 等人[2] 采用提拉法(Czochralski)制备CIS 单晶，并在p-CuInSe 单晶上，蒸发n-CdS ，形成CuInSe /CdS 2 2 异质结结构，制备出了第一块 CIS 太阳电池。到了 1975 年，经过结构改进，电池的光电转 换效率为 12.5%。1976 年，美国 Maine 州大学首次开发出 CuInSe2/CdS 异质结薄膜太阳电池， 光电转换效率达到 6.6%[3] 。1981 年，Boeing 公司发明了多元共蒸发沉积 CuInSe2 多晶薄膜 的技术，制备的薄膜太阳电池光电转换效率达到 9.4%[4] 。1982 年，Boeing 公司通过蒸发 Zn Cd － S 代替 CdS，与 CIS 多晶薄膜形成异质结，以减小 CdS 吸收引起的短波光子损失， x 1 x 同时吸收层采用低阻CuInSe2 和高阻 CIS 薄膜的双层结构，研制的薄膜电池效率为 10.6%[5] 。 1987 年，ArcoSolar 公司提出硒化法制备 CuInSe2 多晶薄膜的新技术，该项技术与多元共蒸 发法相比更简单、成本更低，更具有商业应用的可能，是制作 CIS 太阳电池最重要的技术 之一。1988 年，ArcoSolar 采用硒化法研制出光电转换效率为 14.1%的 CIS 太阳电池[6] 。为 了充分利用太阳光谱，自20 世纪 80 年代末期开始，人们在 CuInSe2 材料中掺入 Ga