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摘 要
本文系统的研究了BST薄膜红外探测器阵列的版图设计、制备工艺以及薄膜线列
的电学性能。主要研究内容及实验结果如下：
膜和Ni／Cr吸收层由8x8个单独的单元组成。
呈现多晶钙钛矿相，其晶粒生长均匀，薄膜表面光滑致密。
研究了电极的光刻和剥离工艺。经过优化工艺，得到的Pt／Ti底电极、Ni／Cr吸收层
和Au上电极图形完整、边缘整齐、表面无残留物。
刻蚀而产生的结构损伤，薄膜致密度和表面光洁度提高。采用XPS分析技术对刻蚀前、
刻蚀后和刻蚀后退火的BST薄膜表面成分进行分析，和刻蚀前相比，刻蚀后的Ba3d3／2、
蚀后600C再退火的薄膜相应光电子峰化学位移变化较小。刻蚀前、刻蚀后和刻蚀后退火
Bao．79Sro．21Til．0203．07。
线列的介电性能、铁电性能和漏电流特性。室温条件下，在测试频率为100KHz时，lx8
薄膜线列的漏电流密度为7．07x10_1n／cm2。
关键词：钛酸锶钡铁电薄膜；热释电非致冷红外探测器阵列；光刻；剥离；刻蚀
Abstract
of ferroelectricthinfilm
Thefabrication andelectric BST
processes properties
uncooledinfrareddetectorare main
pyroelectric arrayssystematicallyinvestigated．The
as
worksand resultsarelistedfollows：
experimental
Themask ofPt／Tibottom thin
electrode，BSTfilm，Ni／Cr
figurations absorptionlayer
x
of88 are
andAu electrode anddrawnL-editsoftware．Pt／Tibottom
top arraysdesigned by
x
electrodeandAu electrodeare of l 8linear thinfilmand
top composedeight arrays，BST
‘
x
Ni／Cr are 88units．
absorptionlayerindependent
BSTferroelectricfilmsare method．The resultsshow
preparedbySol—gel experiment
thatBSTthinfilmswith BTseed exhibit
presinteredlayer polycrystallineperovskitephase，
at700C。
annealing
al
The andlift-off ofelectrodesestudied．Pt
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