电针对脑缺血再灌后血脑屏障开放的影响及机制初探.pdfVIP

上海医科大学硕士研究生论文 1．中文摘要 电针列堕壁奥要羹洼后血脑屏障开放的影响及其机制初探 硕士研究生：吴旭东 导师：曹小定 上海医科大学医学神经生物学国家重点实验室 上海医科大学针刺原理研究所 缺血性脑损伤能引起血脑屏障(BBB)结构功能的改变和破坏，而 BBB结构功能的变化又是脑缺血病理变化的重要环节。本实验室以往 的研究表明电针(EA)对急性缺血性脑损伤具有较好的疗效．EA是否 影响了脑缺血后的开放尚未见报导。本工作采用大鼠急性大脑中动脉 梗塞模型(MCAO)致局部脑缺血，观察EA对脑缺血再灌注后BBB开放的 影响。并通过组织形态学的方法从细胞分子水平对其机制进行了初步 探讨。f实验结果如下： 1．缺血再灌注后血脑屏I掌通蓬性及脯梗阻面积时相变化和B^对其的 影响 1．1EA减小缺血再灌注后的脑缺血梗阻面积 运用苏木素一伊红(HE)染色结合计算机图象处理观察EA对大脑 积／对侧半球总面积百分比的影响。每个时间点分两组：缺血组(n=5-6) 水平的梗塞面积百分比分别为13．4％±7．6％，42．6％土7．7％，74．5％士 24．6％，90．2％±17．3％，EA+缺血组的梗塞面积分别为10。4％土 组与单纯缺血纽梗阻面积的差异有统计学意义(P0．05)。 1．2在激光共聚焦扫描显微镜下观察血脑屏障开放变化的形态观察 大鼠缺血再灌注后的BBB呈双相开放。缺血再灌注后2h，缺血 侧的纹状体内已有少量零星均匀分布的明亮荧光，提示此时纹状体 BBB已有少量开放。再灌后6h，缺血侧顶叶皮层出现强烈荧光；纹状 体缺血灶内有斑片状强荧光分布。缺血再灌注后24h，渗透在脑组织 上海医科大学硕士研究生论文 间的荧光强度明显减弱但BBB开放区域仍在扩大。再灌后48h，BBB 开放再次增强。均匀的明亮荧光弥漫在缺血侧的纹状体及皮层。 EA能减少缺血再灌注后的BBB开放。EA对皮层的BBB的开放作用 尤为明显。在各个时间点上，EA都使BBB开放区域减小，开放程度 降低。EA对缺血再灌注后6h的缺血侧纹状体内BBB的渗透的荧光强 度似乎影响不大，但它减少了BBB的开放区域。相反，EA能减弱缺 血再灌注后48h缺血灶内的荧光强度，提示它对BBB第二相损伤的保 护作用。 1．3采用荧光分光光度计对血脑屏障通透性进行定量分析 Evans 手术组(n=3)。另加一组正常对照组(n=3)。EB脑组织间的浓度可 反应BBB对大分子蛋白通透性的程度。经方差分析(OneANOVA) way 结合SHK检验，结果显示：(I)缺血侧(左侧)，缺血再灌注后缺血 +EA组与单纯缺血组BBB的EB含量均有增加，与正常组和假手术组存 在明显差异(P0．05)。缺血+EA组EB含量又低于单纯缺血组，它们 的差异具统计学意义(P0．05)。(Ⅱ)缺血对侧(右侧)，缺血再灌注 后缺血+EA组与单纯缺血组的髓含量也有增加，与假手术组和正常 组之间存在差异(p0．05)，但缺血组与缺血+EA组之间差异则无统 计学意义。 上述结果表明：缺血再灌注后的脑梗阻面积呈进行性增长。短暂 缺血再灌注后BBB呈双相开放。脑梗塞区域与BBB开放区域既密切相 关又非等同。EA既能减轻缺血再灌注后的BBB的损伤，也能减少缺 血再灌注后的梗阻面积。 2．缺缸再灌注后ICAM-1的表述变化及BA对其的影响 学(ABC)法检测ICAM-1在脑缺血再灌注后的表达。正常组及假手术组 仅有零星的ICAM一1阳性信号均匀分布在双侧半球。缺血早期IcAM 一1主要表达在脑微血管上。再灌后6h，ICAld一1阳性血管表达开始 增加，24h大量表达在缺血侧皮层及纹状体的脑微血管上。再灌48h 后，出现大量围绕在较大血管周围的IcAM一1浸润阳性白细胞。表达 在脑微血管上的ICAM一1已明显减少。EA能减弱缺血再灌注后24h 上海医科大学硕士研究生论文 达作用复杂，EA似乎对ICAM一1阳性微血管反而有上调的趋势 (P0．05)。 在100×光镜下对ICAM一1阳性微血管进行半定量，随机取缺血 侧皮层4个视