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不同助熔剂体系下Ga3PO7单晶的生长与表征英文.pdf
第 39 卷第 8 期 · 1339 ·
第 39 卷第 8 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 39 ，No. 8
2 0 1 1 年 8 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY August ，2011
不同助熔剂体系下Ga3PO7 单晶的生长与表征
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郭永解 ，李 静 ，王继扬 ，韩树娟 ，王永政 ，BOUGHTON Robert I
(1. 山东大学，晶体材料国家重点实验室，济南 250100 ，中国；2. Department of Physics and Astronomy,
Green State University, OH 43403, USA)
摘 要：在 X CO –MoO (X = Li, K)助熔剂体系下，采用顶部籽晶缓冷法生长出厘米级磷酸三镓(Ga PO ) 晶体。实验结果表明：X CO –MoO 助熔剂
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适合 Ga PO 单晶的生长。通过测量 Ga PO 单晶的紫外–近红外光谱和中红外光谱研究了其基本光学性能。在 K CO –MoO 助熔剂体系下，生长的
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Ga PO 晶体(101)晶面的透过率达到89%。热学性能测试表明：Ga PO 晶体具有高的温度稳定性(在 K CO –MoO 助熔剂体系下高达 1 621.15 K) ，Ga PO
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晶体的导热性良好，且各向异性不明显，有利于其应用。从Li CO –MoO 和 K CO –MoO 两种助熔剂体系中生长的 Ga PO 晶体，其基本性能无明显区别。
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关键
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