ULSI制备中铜布线化学机械抛光技术的研究与展望_王胜利.pdfVIP

第 卷 第 期 河 北 工 业 大 学 学 报 年 月 35 5 2006 10 Vol.35 No.5 JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Octobor 2006 文章编号：1007-2373 (2006) 05-0017-06 ULSI制备中铜布线化学机械抛光技术的研究与展望 王胜利，刘玉岭 （河北工业大学 微电子研究所，天津300130 ） 摘要 对ULSI 制备中铜布线化学机械抛光（CMP）进行了分析，综述了铜CMP 技术的研究现状．主要内容包 括铜CMP 去除机理、铜CMP 抛光液；分析了目前铜CMP 技术存在的问题，指出了铜CMP 今后的研究重点． 关 键 词 化学机械抛光；铜；去除机理；抛光液 中图分类号 TU528 文献标识码 A Research and Prospects on Copper Chemical Mechanical Polishing in ULSI Manufacturing WANG Sheng-li ，LIU Yu-ling ( Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianji n 300130, China ) Abstract The copper chemical mechanical polishing (CMP) which is the key planarization technology for ULSI manu- ， facturing was discussed and the progress and problems of CMP were reviewed in the paper. The material removal mech- anisms and the slurry of copper CMP were analyzed especially. The emphases of the future research were also pointed out. ( ) ； ； ； Key words chemical mechanical polishing CMP copper removal rate slurry 0 引言 随着ULSI 特征尺寸的进一步减小，布线层数增加，宽度也随之变细．由于铝自身的性质，导致传 统铝布线工艺制作的器件经常会因铝的电迁移而失效．铜的阻抗低、抗电迁移性好、价格便宜，采用铜 互连工艺可以提高芯片的速度和可靠性，降低多层布线的层数，使工艺简化，成本降低．ULSI 多层布 [ ] 线金属正由传统的铝向铜转化 1 ．在多层布线立体结构中，材料表面的高平坦化是制约其发展的关键技 术之一．到目前为止，唯一能实现全局平面化的关键工艺技术是化学机械抛光（Chemical Mechanical polishing ，简称CM P）技术[2] ． CMP 技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及抛光液的化学腐蚀