铟单电子晶体管和存储器的研究.pdfVIP

摘要 摘要 单电子器件是依据量子隧穿和库仑阻塞两种现象之间的竞争工作的。它主要 包括单电子晶体管和单电子存储器。单电子晶体管具有极小的尺寸、高速度、低 功耗和多功能的特点，是目前MOS器件极有希望的替代者。单电子存储器通过 操纵单个或者少数几个电子实现信息的存储，具有极低的功耗和极小的尺寸。发 展单电子存储器是实现高密度信息存储的～个重要方向。单电子器件工作在传统 器件有可能出现机理限制的纳米级尺寸上，可以组合成拥有各种逻辑功能的电路， 适合用作特大规模集成电路的基本逻辑运算单元。 由于单电子器件的这些优势，自1985年正统理论提出以来单电子学成为一个 非常活跃的研究领域。IBM、Hitachi等许多著名公司和高校都开展单电子器件的 理论和实验研究，而且有许多好的成果被报道，其中室温工作的单电子晶体管、 超灵敏电荷计和128M的单电子存储器都尤其值得一提。 在基金项目的支持下，本文作者从2001年开始从事单电子器件理论和实验研 究，获得了一些成果。 理论上的成果是：提出单电子存储器的保持时间模型和隧道结电阻的解析表 达，进行了隧穿事件的时间相关性分析以及推广电源独立作用原理。这些理论能 够方便单电子存储器的优化和单电子电路问题的分析。