电迁移作用下SnPb与NiP界面金属间化合物的极性生长.pdfVIP

第45卷 第2期 金属学腹 Vol·45No·2 ACTAMETALLURGICASINICA Feb．2009 2009年2月第178—182页 PP．178-182 电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面 金属间化合物的极性生长 陆裕东，，z) 何小琦-) 恩云飞·) 王歆z) 庄志强。) 1)信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室，广州510610 2)华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室，广州510640 摘要 层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象，从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理．焊点在焊接过程中形成 厚度约为2pm的Ni3Sn4IMC层，随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长．而电迁移作用下，阳极焊点与镀 层界面IMC出现异常生长，同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制，最终在同一焊点中