微电子毕业设计文 sic的化学气相外延.docVIP

PAGE ******职业技术学院毕业设计论文作者 **** 学号 系部 微电子学院 专业 微电子技术 题目 SiC的化学气相外延 指导教师 评阅教师 完成时间： 年 月 日PAGE 5摘要SiC的化学气相外延是指在 HYPERLINK /view/1026875.htm \t _blank 气相状态下，以SiH4和C3H6为生长源，将反应生成的SiC淀积在SiC HYPERLINK /view/2265886.htm \t _blank 单晶片上，使它沿着单晶片的 HYPERLINK /view/2431043.htm \t _blank 结晶轴方向生长出一层厚度和 HYPERLINK /view/42894.htm \t _blank 电阻率合乎要求的单晶层，以高纯 HYPERLINK /view/97585.htm \t _blank 氢气作为输运和还原气体，以N2 作为N型外延层的掺杂源，在1530℃的高温、以及1.5*10-6mba的条件下经过长时间的外延生长达到指定要求。此类外延属于同质外延，在外延生长的过程中，SiH4、C3H6、N2和基座的旋转对外延层的生长有着重要的影响。我所从事的工艺的主要标准是大小为3英寸、厚度为6μm、浓度为1.0E16。关键词：化学气相外延 高纯 HYPERLINK /view/97585.htm \t _blank 氢气 同质外延 高温ABSTRACT小4号宋体1.5倍行距小4号黑体XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX小4号宋体1.5倍行距小4号黑体小4号宋体(空2行)小4号宋体Keywords: XXX XXX XXX XXX 一级标题，小3号黑体，加粗，段前0.5行，段后0.5行小4号宋体，18磅一级标题，小3号黑体，加粗，段前0.5行，段后0.5行小4号宋体，18磅 TOC \o 1-2 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc178734369 摘要 PAGEREF _Toc178734369 \h i HYPERLINK \l _Toc178734370 ABSTRACT PAGEREF _Toc178734370 \h ii HYPERLINK \l _Toc178734371 目录 PAGEREF _Toc178734371 \h iii HYPERLINK \l _Toc178734372 1引言(或绪论) PAGEREF _Toc178734372 \h 1 HYPERLINK \l _Toc178734373 2 基本原理 PAGEREF _Toc178734373 \h 1 HYPERLINK \l _Toc178734374 2.1 工艺原理 PAGEREF _Toc178734374 \h 1 HYPERLINK \l _Toc178734375 3 运算单元 PAGEREF _Toc178734375 \h 2 HYPERLINK \l _Toc178734376 3.1 半加器设计 PAGEREF _Toc178734376 \h 2 HYPERLINK \l _Toc178734377 结论 PAGEREF _Toc178734377 \h 3 HYPERLINK \l _Toc178734378 致谢 PAGEREF _Toc178734378 \h 4 HYPERLINK \l _Toc178734379 参考文献 PAGEREF _Toc17873