晶体硅太阳电池数值模拟及应用.pdfVIP

摘要 摘要 太阳电池的主要研究方向是提高电池的光电转换效率，而光电转换效率及其 性能参数受到电池材料参数、结构参数等的影响。因此，在探索优化太阳电池设 计与制备工艺以提高光电转换效率的过程中，分析太阳电池的材料参数、结构参 数等如何影响电池性能就显得十分重要。 本文主要研究了多种类型晶体硅太阳电池的数值模拟及应用，通过光生少数 载流子连续性方程建立单晶硅结构太阳电池的物理模型，引进了有效迁移率和有 效少子扩散长度的概念，并考虑多晶硅中晶界复合因素的影响，最终实现电池材 料和结构参数在室温下对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、 填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能指标影响的数值模拟。同时，我们 也考察了温度变化对于晶体硅太阳电池性能指标的影响情况。 在程序的实际应用中，模拟结果通过数值和图形两种方式输出。通过将模拟 结果与实际实验结果作对比，发现它们趋势和数值相符，一定程度上验证了物理 模型的正确性和模拟结构的准确性，为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的 指导作用。 关键词：数值模拟；晶体硅太阳电池；温度影响 Abstract ist0 solar conVersion aimofsol甜ccnresearch The improvephotoelectric is material so0n· par锄ctcr’锄d efficiency，whichmnuencedbyp啪metcrStmcturc t0discusshowthese influencesolar Therefo把，it’simport锄t p锄meters photoelec仃ic converSion e伍ciency． cells． simulationof siliconsolar T1lis isdedicatedt0numerical crystalline study sol盯cellsisbuilt A modeIof蜘Si conti玎【uityequation锄d physical w敞photocamer ca盯ierdi硒sion mobili吼e疏ctiVemin耐ty length锄d b0帅da巧equatio邶．E肫ctive intoaocountinthe carrier托combin砒ionon mc-Siaretaken c聊姐lbounda叮of modelofmc-Sisolar the way，wec锄silTlulate觚d锄alyzc physical cells．ByⅡlis siliconsolarcelIs．And