磁电阻随机存取存储器的研究进展.docVIP

内蒙古科技大学 本 科 毕 业 论 文 论文题目：磁电阻随机存取存储器研究进展 院 系： 物理科学与技术学院 专 业： 应用物理学 姓 名： 学 号： 指导教师： 二零一二 年 五 月 摘要 磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM 的概念和原理。以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH) 等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应，所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发新原理和新结构的MRAM。MRAM；磁性随机存储器；磁电阻 Abstract 　　Magnetic resistance type random access memory (MRAM) has been recognized as a kind of very wide prospect of memory. This paper reviewed the MRAM concept and principle. And it and the most common static random access memory (SRAM), dynamic random access memory (DRAM), FLASH memory (FLASH), and other types of memory difference. The practical MRAM, mainly using tunnel magnetic resistance (TMR) effect, so for now, the study is one of the key MRAM, how to improve the traditional TMR material performance. MRAM another research direction is to develop the new principle and the structure of the new MRAM. In this paper, the magnetic resistance random access memory principle and superiority of the comprehensive introduction, and of magnetic resistance random access memory research progress made the statement. Key word: MRAM；Magnetic ram; Giant magnetic resistance 目录 引言 4 1 磁阻式随机存取存储器（MRAM）的概念 5 1.1 MRAM工作的控制原理 5 1.2 MRAM存取的基本原理 5 1.3 MRAM的工作原理 6 1.4 巨磁电阻随机存储器（GMR）的简介 6 1.5 GMR效应在随机存储器 (MRAM)中的应用 7 2 MRAM与现行各类存储器的比较 8 2.1 静态存储器（SRAM）、动态存储器（DRAM）介绍 8 2.2 MRAM的优势 8 2.3 MRAM目前的不足 9 3 MRAM的发展与应用 10 3.1 MRAM研究进展 10 3.2 高磁电阻比TMR材料 10 3.3 自由层材料 11 3.3 自旋转矩效应与流致反转 11 3.4旋档切换开关结构 12 结论 15 参考文献 16 致 谢 17 引言 MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistive Random Access Memory)的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储(non-volatilecomputer memory，NVRAM)技术，该技术从20世纪90年代以来开始开发，目前已经取得惊人的进展。MRAM技术的支持者认为，MRAM最终将成为占主导地位的并取代其它所有类型的存储器，成为一个真正的“通用存储器”。Magnetic Random Access Memory，MRAM)的产生，它是一种利用具有高敏感度的磁电阻材料所制造的存储器，同时也是一种新颖的非挥发性存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与Flash相同，而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息．MRAM的出现，可以说是存储技术的一场革命，其发展和应用相当迅速。 1 磁阻式随机存取存储器（M