化学机械抛光中Si2fCu2fTa2flowk界面剥离和断裂特性研究.pdfVIP

v01．48 第48卷第4期 机械工程学报 No．4 2012年2月 Feb． 20l2 ENGINEER【NG JOURNALOFMECHANICAL DoI：10．390l／JrIⅡE．2012．04．026 化学机械抛光中Si／Cu／Ta／low．k界面剥离 和断裂特性研究木 杜诗文李永堂 (太原科技大学材料科学与工程学院太原030024) 摘要：超大规模集成电路随着布线层数增加和线宽的缩小，low-k材料的介电常数进一步降低，多孔low．k材料力学性能随 mechanical 之降低，使得晶圆在化学机械抛光(cheInical 界面剥离。针对s“cu门阳门ow-k在CMP过程中的承载特性，建立单层布线和多层布线体系的界面力学模型，采用断裂力学 理论和有限元法研究S“cu门■／low．k界面在cMP过程中界面的应力分布规律和界面裂纹的断裂强度。采用能量释放率来描 述裂纹的扩展情况，根据界面裂纹能量释放率数值计算方法对裂纹长度、材料性质及不同的布线层数对裂纹扩展时的界面断 裂／剥离特性进行仿真分析，得到界面应力分布、能量释放率、相位角与裂纹长度、材料性能、布线层数之间的关系变化曲 线。结果表明：随着low-k力学性能降低和布线层数增加，裂纹能量释放率升高，界面裂纹更容易扩展。 关键词：能鼍释放率 界面裂纹扩展相位角 化学机械抛光 中图分类号：TN305 DelaminationandFracture ofSi／Cu／Th／low—k Characteristic Study ChemicalMechanical Systemduring Polishing DUShiwen LIYongtang ofMaterials Science锄d UniVers时of (School ScienceEngineering，1’ai”aIl Abstract：Wimthe featIlresizeand scale constantoflow-k increasingpattemedlayers integration’dielec仃ic decre雒iIlg oful咖la唱e m曲erialsdecreases t0 mech狮ical ordelaIIlinationofCu厂r叭ow-k accordiIlgly．【hepoor s仃e：Ilgtllf研porouslow-k删als，peeling orul仃alow．kisthe issuef．or mechanical intc慨ial鼢turemechaIlicsmodeliscons仃uctedfor key chelllical polishiIlg(CMP)．An strI】cture锄d舶“Iti．1evel CMP-N、l】nericalcalculationbascd∞仃瓠mⅡemechanicsand觚teelcIncn_t gmlctIlres 矗in窑l