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高效率大功率LED的材料外延和器件研制 Growthanddevice of development and LED highefficiencyhighpower 博 士 后 姓 名 张洁 流动站(一级学科)名称 物理学 专业(二级学科)名称 凝聚态物理 研究工作起始时间 2010年1月 研究工作期满时间 2011年12月 厦门大学 2012年7月 摘要 GaN基大功率LED作为第四代电光源，具有体积小、低电压、寿命长、效率高、节能 等优良特性，但目前还存在转换效率低、光通量小、可靠性差等缺点。这主要是由蓝宝石 性能，主要结论如下： 1．PSS衬底外延GaN晶格质量的提升：研究了湿法制作图形化蓝宝石衬底，并在其上外延 增加，LED光功率增加，但深度增加到一定程度时，由于外延生长困难度的增加，晶体生长 案尺寸的增大，LED光功率也会增加。 着SL loop数的增加，亮度呈现先上升后下降的趋势，是因为SL厚度较薄时缓冲作用占主导， 继续增加厚度时SL品格质量变差占主导；研究了MQW的亮度和电压随QB厚度的变化规律， 发现随着MQB的厚度增加，亮度也呈现先上升后下降的趋势，是因为MQB厚度较薄时，垒 对晶格质量的改善占主导作用，厚度继续增加时，垒对空穴迁注入的抑制占主导作用；研究了 loop数 SL结构阻挡了跃迁进入p．GaN的电子，减少 增加，亮度呈先上升后下降的趋势，是因为P—A1 SL结构对空穴的阻挡作用占主导。 非辐射复合的作用占主导，loop数继续增加时，p．A1 高，这是因为金半接触会产生很高的势垒，而高掺的p++层可以使势垒区宽度变薄，从而增强 隧穿效果以降低电压。但是载流子隧穿几率随势垒变宽而明显下降，导致电压升高；另一方面 随着Mg掺杂的提高，空穴浓度增加，电阻率减小，电压降低。最后过高的Mg掺杂恶化了晶 格质量，自补偿效应显著，空穴浓度变低，势垒厚度变大，载流子隧穿几率变小，导致电压升 nlTl加厚至2．3 高；在P型InGaN接触层，当InGaN接触层由0．9 浓度得到提升，有利于降低接触电阻从而降低电压，但是当InGaN层进一步加厚时，势垒高 度和宽度进一步增加，隧穿效应变弱，导致电压逐渐升高。 4．高效率大功率LED的设计与性能：根据上述各关键层生长条件优化的结果，在优化后的 rail*50 触层包括p++GaN和P型InGaN层。制作的50 430 lrrdW， mW左右，VF均值在3．1．3．3V之间分布。包白灯亮度在140．1501m，光效在130．135 色温5000K，显色指数70附近，色坐标数据正常，已经达到110l州W的项目指标。结果得 到700 老化IR数据正常。 关键词： 金属有机化合物气相沉积，X光衍射，光荧光，大功率LED，图形衬底，应力释放 层，InGaN／GaN多量子阱，接触层 Abstract as GaN—basedLEDsthefourth oftheelectric power generation light，havemany suchas