《A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transisto》.pdfVIP

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2015-11-11 发布于河南
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《A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transisto》.pdf

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Vo1．35，No．1 JournaIofSem iconductors January2014 Anoveloptimizationdesignfor3．3kVinjection-enhancedgatetransistor TianXiaoli(m~ )，Chu、 ili(褚为利)，LuJiang(Ni~32)，LuShuojin(卢烁今)，2 YuQiaoqun(喻巧群)，andZhuY：ln自un(朱阳军)，2，十 InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China 2JiangsuRD CenterforInternetofThingsWuxi214135，China ， Abstract：ThisPaperintroducesahomemadeinjection—enhancedgatetransistor(IEGT1withblockingvoltageup to3．7kV．AnadvancedcellstructurewithdummytrenchandalargecellpitchisadoptedintheIEGT．Thecarrier concentrationattheN．emittersideisincreasedbythelargercellpitchoftheIEGTanditenhancestheP-i—N eff．ect withinthedevice．TheresultshowsthattheIEGThasaremarkablelylowon-stateforwardvoltagedrop(Efsa1)【 comparedtotraditionaltrenchIGBTstructures．However,toolargecel1pitchdecreasesthechanneldensityofthe trenchIEGTandincreasesthevoltagedropacrossthechannel，finallyitwillincreasetheVcEfsat)oftheIEGT． Thereofre．thecellpitchselectionisthekeyparameterconsiderationinthedesignoftheIEG Inthispaper,a cellpitchselectionmethodandtheoptimalvalueof3．3kV IEGTarepresentedbysimulationsandexperimental results． Keywords：IEGT；dummycell；3．3kV；cellpitch DoI：10．1088／1674—4926／35／1／014005 EEACC：2560 1．IntrOductiOn wardconductioncharacteristicst，1．ThemodelsaretheP-i-N Itiswel1knownthattheIGBThasbecomethemostpop． rectifier／MOSFETmode1andtheP—N—Ptransistor／MOSFET ularpowerdeviceinpowerapplicationareasduetoitsadvan． mode1．Figureslfa1and 1(b)aretheequivalentcircuitsof tageinintegratingthecharacteristicsofbipolartransistorsand thet