《N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响》.pdf

第35卷第6期 发 光 学 报 Vo l 。3 5 N。．6 文章编号 ：1000 ．703 2( 2014) 06- 06 89- 06 N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响 高丽丽1’孙，李永峰2 ，徐 莹2 ，张 淼1，姚 斌2 ( 1．北华大学物理学院，吉林吉林132013；2 ．吉林大学物理学院，吉林长春130012) 摘要：利用射频磁控溅射方法，使用Mgo。Zn 。。0 陶瓷靶材，选用不同流量 比的氮气和氩气混和气体作为溅 射气体，在石英基片上生长N掺杂Mg ，Zn 。O合金薄膜 。研究了氮流量 比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质 和拉曼光谱的影响。结果显示：随着溅射气氛中氮流量比的增加，薄膜 中Mg含量增加，薄膜表面颗粒尺寸减 小，结品质量变差，电阻率逐渐增大，导电类型发生转变。在氮流量 比为20 ％时，获得了最好的p型导电薄 膜 。另外，随着氮流量 比的增加，拉曼光谱 中与N。相关的位于272 c -m～ 、642 cm “左右的振动峰逐渐增强． 表 明N。的浓度随着氮流量 比的加大而有所增加． 关键词：射频磁控溅射技术；N掺杂MgZnO薄膜；氮流量 比：光 电性能 中图分类号 ：0484 ．4 ：0472 文献标识码 ：A DOI ：10 ．3788 ／f gx．0689 f f ect s of N2 Fl ux Rat i o on The St r uct ur e and Pr oper t i e s of MgZnO：N Fi l ms GAOLi ．1i ‘’孙，LI Yong．f en 92 ，XU Yi n92 ，ZHANG Mi a 01。YAO Bi n2 ( 1．Col l e ge of Ph ysi cs ，Bei hua Uni ver s i t y ，J i l i n 1 320 1 3，Chi na ； 2．Col l e ge of Physi c s ，J i l i n Uni v er si t ) ，Chat t gc hun 130012，Chi n a) }Cor r e spondi n g Aut hor ， —mai l ：ga ol i l i 0 00@si na ．co r n Abs t r a ct ：Us i ng Mgo 04 Zno 9 6 0 t ar get ，N doped MgZnOf i l ms wer e pr epa r e d on quar t z subst r at e by r adi o f r equen cy magnet r on sput t er i ng t e chni que ．Th e e ff e ct s of N2 ／( N2+Ar ) f l ux r at i o Of f t he mor ． phol o gy ，st r uc t ur e and pr oper t i es of anne al e d MgZnOt hi n f i l ms wer e i nv est i gat ed．Wi t h t he i n cr ea s— i ng f l u x r a t i o of N2 ／( N2+Ar ) ，t he cont en t of Mg i ncr eases ，t he aver age gr ai n si z e become s sma l — l er ，t he cry