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《N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响》.pdf
第35卷第6期
发 光 学 报 Vo l 。3 5 N。.6
文章编号 :1000 .703 2( 2014) 06- 06 89- 06
N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响
高丽丽1’孙,李永峰2 ,徐 莹2 ,张 淼1,姚 斌2
( 1.北华大学物理学院,吉林吉林132013;2 .吉林大学物理学院,吉林长春130012)
摘要:利用射频磁控溅射方法,使用Mgo。Zn 。。0 陶瓷靶材,选用不同流量 比的氮气和氩气混和气体作为溅
射气体,在石英基片上生长N掺杂Mg ,Zn 。O合金薄膜 。研究了氮流量 比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质
和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加,薄膜 中Mg含量增加,薄膜表面颗粒尺寸减
小,结品质量变差,电阻率逐渐增大,导电类型发生转变。在氮流量 比为20 %时,获得了最好的p型导电薄
膜 。另外,随着氮流量 比的增加,拉曼光谱 中与N。相关的位于272 c -m~ 、642 cm “左右的振动峰逐渐增强.
表 明N。的浓度随着氮流量 比的加大而有所增加.
关键词:射频磁控溅射技术;N掺杂MgZnO薄膜;氮流量 比:光 电性能
中图分类号 :0484 .4 :0472 文献标识码 :A DOI :10 .3788 /f gx.0689
f f ect s of N2 Fl ux Rat i o on The St r uct ur e and Pr oper t i e s of MgZnO:N Fi l ms
GAOLi .1i ‘’孙,LI Yong.f en 92 ,XU Yi n92 ,ZHANG Mi a 01。YAO Bi n2
( 1.Col l e ge of Ph ysi cs ,Bei hua Uni ver s i t y ,J i l i n 1 320 1 3,Chi na ;
2.Col l e ge of Physi c s ,J i l i n Uni v er si t ) ,Chat t gc hun 130012,Chi n a)
}Cor r e spondi n g Aut hor , —mai l :ga ol i l i 0 00@si na .co r n
Abs t r a ct :Us i ng Mgo 04 Zno 9 6 0 t ar get ,N doped MgZnOf i l ms wer e pr epa r e d on quar t z subst r at e by
r adi o f r equen cy magnet r on sput t er i ng t e chni que .Th e e ff e ct s of N2 /( N2+Ar ) f l ux r at i o Of f t he mor .
phol o gy ,st r uc t ur e and pr oper t i es of anne al e d MgZnOt hi n f i l ms wer e i nv est i gat ed.Wi t h t he i n cr ea s—
i ng f l u x r a t i o of N2 /( N2+Ar ) ,t he cont en t of Mg i ncr eases ,t he aver age gr ai n si z e become s sma l —
l er ,t he cry
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