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《SiGe—OI对称脊形定向耦合器的研究》.pdf
314 西安理工大学学报 JournalofXi’anUniversityofTechnology(2013)Vo1.29No.3
文章编号:1006-4710(2013)03-0314-05
SiGe—OI对称脊形定向耦合器的研究
冯松 ,高勇 ,
(1.西安理工大学 自动化与信息工程学院,陕西 西安 710048;2.西安工程大学 理学院,陕西 西安 710048)
摘要:基于 SiGe—OI新型半导体材料,分析 了SiGe.OI对称脊形定向耦合器的横 向和纵向耦合理
论,在 BPM模拟软件平台上,建立了SiGe—OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟 了其完全耦合和
3dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和 Ge含量对耦合长度的影响:重
点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及 Ge含量等物理量之间的关系,
得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间
距和Ge含量的结论,为SiGe—OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考。
关键词:绝缘层上锗硅 ;定向耦合器;耦合长度;耦合 间距
中图分类号:TN252 文献标志码 :A
ResearchonSiGe-OISymmetricalRidgeDirectionalCoupler
FENG Song一.GAO Yong,
(1.FacultyofAutomationInformationEngineering,Xi’anUniversityofTechnoloyg,Xi’an710048,China;
2.DepartmentofAppliedPhysics,Xi’anPolytechnicUniversit~,Xi’all710048,China)
Abstract:Inthispaper,basedonnewSiGe—OIsemiconductormaterials,verticalandhorizontalcoupling
theoryofSiGe—OIsymmetricalridgedirectionalcouplerareanalyzed.ThestructureofSiGe-OIsymmetri—
ealridgedirectionalcouplerisbuiltbyBPM simulationsoftware.Fullcouplingand3dB couplingofCOU—
pierarerespectivelysimulated,andridgewidth,couplinggap,wavelengthandtheeffectsofGecontents
uponcouplinglengtharegivenout.Themainrelationshipamongcouplingcoefficient,ridgewidth,COU-
plinglength,couplinggap,wavelengthandGecontentsareanalyzedinpriority.Withtherangeofsimu—
lationparametervaluesinthispaper,largerridgewidth,smallcouplinggapandsmallGecontentsare
betterforoptoelectronicintegrationinconclusion,andthisresearchprovidesatechnicalreferenceofrthe
manufacturingofSiGe—OIsymmetricalridgedirectionalcoupler.
Keywords:SiGe—OI;directionalcoupler;couplinglength;couplinggap
SiGe.OI材料是一种新型半导体材料,它的结构 对称型和非对称型;根据端 口数 目的不同,又可以分
与 SOI相类似 ,只是把绝缘层上的硅换成了锗硅 ,利 为2×2型、2×3型、4×4型、8×8型等。
用_『SiGe—OI
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