应力和本征缺陷影响硅晶体电学性质机理第一性原理研究.docVIP

本科学生毕业论文 论文题目： 应力与本征缺陷影响硅晶体电学性质机理第一性原理研究 学 院： 电子工程学院 年 级： 2009级 专 业： 电子科学与技术（微电子） 姓 名： 李册 学 号： 指导教师： 李青坤 2013 年 5 月 10 日 摘要 如今对于半导体材料硅的研究已经日渐成熟，硅已经是最广泛应用的一类半导体，在微电子和集成电路行业中硅占据着主导地位，通常通过掺杂杂质来改变硅的导电性能，硅的掺杂技术已经被普遍应用并且越来越成熟，并制成各种器件。然而在应力和本征缺陷对硅的电学性质的作用却很少提及。在对半导体材料的研究和学习中可知，缺陷的电学特性对半导体也有着一定的影响，参杂原子可以提供载流子提高其导电特性，而空位等缺陷在禁带中产生深能级，因此缺陷影响着半导体的禁带宽度和载流子数目。因此缺陷对硅的导电特性起着至关重要的作用。当对硅晶体某一晶向上施加一个拉伸或压缩的应力时会对硅结构造成一定的影响，导致禁带宽度会发生变化，使其导电性能也发生变化。 本文所进行的工作就是研究应力和本征缺陷双重因素作用下影响硅电学性质机理的第一性原理的研究。利用Materials Studio 6.0 软件来计算分别对硅的111和100晶向施加拉伸和压缩的应力其电学性质变化并绘制应力随应变曲线，并且绘制出能带图、态密度图