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第四章光源和光发射机 光纤通信对光源的要求 光源发射的峰值波长,应在光纤低损耗窗口之内; 有足够高的、稳定的输出光功率,以满足系统对光中继段距离的要求; 电光转换效率高,驱动功率低,寿命长,可靠性高; 单色性和方向性好,以减少光纤的材料色散,提高光源和光纤的耦合效率; 易于调制,响应速度快,以利于高速率、大容量数字信号的传输; 强度噪声要小,以提高模拟调制系统的信噪比; 光强对驱动电流的线性要好,以保证有足够多的模拟调制信道。 半导体材料的种类繁多,几乎全部覆盖从可见光到红外光区的整个波长; 光通信用的主要材料是砷化镓(GaAs),并掺以与之相邻的元素,如铝、铟、磷、锑,改变其本征值,从而改变其发光光波长; 在InGaAsP材料中,最长的发光波长是InP的1.7um,通过掺镓和砷,发光波长可以达到1um左右。 1、同质结半导体激光器 2、异质结 (Heterojunction) 3、 异质结在半导体激光器中的作用 LD 外形图 由有源层发射的光,一部分在光栅波纹峰反射(如光线a), 另一部分继续向前传播,在邻近的光栅波纹峰反射(如光线b)。如果光线a和b匹配,相互重叠,则产生更强的反馈,而其他波长的光将相互抵消。虽然每个纹波峰反射的光不大,但整个光栅有成千上万个纹波峰,反馈光的总量足以产生几个振荡。 DFB激光器的模式不正好是布拉格波长,而是对称的位于布拉格波长λB两侧,即 完全对称的器件应该具有两个与λB等距离的模式,但是在实际制造过程中,或者有意使其不对称,只产生一个模式。因为LΛ,所以发射光的波长非常靠近λB 4.3.4 波长可调谐半导体激光器 耦合腔半导体激光器可以实现单纵模工作,这是靠把光耦合到一个外腔实现的。 这是一种单片集成的耦合腔激光器,称做C3(切开的耦合腔,Cleaved Coupled Cavity)激光器。 C3激光器可以实现单纵模工作,改变一个腔体的注入电流,激光器可以实现约20nm范围的波长调谐。 C3激光器的调谐由于是约2nm的逐次模式跳动,所以调谐不是连续的。 这是一种外腔半导体激光器,通过简单地旋转光栅,可以在较宽范围内对波长实现调谐(典型值为50nm)。 这种激光器的缺点是不能单片集成。 这是一种多腔分布布拉格激光器,它包括了三段即有源段、相位控制段和布拉格反射段,每段独立注入电流偏置。 注入布拉格段的电流改变载流子的折射率n,从而改变布拉格波长;注入相位控制段的电流改变该段的感应载流子折射率,从而改变了DBR的反馈相位。 通过控制注入三段的电流,激光器波长可在5-7nm范围内连续调谐。 4.3.5 垂直腔表面发射激光器 垂直腔表面发射激光器(VCSEL,Vertical Cavity Surface Emitting Laser)的光发射方向与腔体垂直。 腔体两端的反射器是由电介质镜组成,即由厚度为 4 / λ 的高低折 射率层交错组成。如果组成电介质镜的高低介质层折射率 1 n 、 2 n 和 1 d 、 2 d 满足 λ 2 1 2 2 1 1 = + d n d n 该电介质镜就对波长产生很强的选择性,从界面上反射的部分透射光 相长干涉,使反射光增强。经过几层这样的反射后,透射光强度将很 小,而反射系数将达到 1 。因为这样的介质镜就像一个折射率周期变化 的光栅,所以该电介质镜本质上是一个分布布拉格反射器。 因为有源层通常很薄 ( m 1 . 0 m ) , 就像一个多量子阱,所以阈值电 流很小,仅为 0.1mA, 工作电流仅为几 mA 。 由于器件体积小,降低了电容,适用于 10 Gb/s 的高速调制系统。 由于该器件不需要解理面切割就能工作 , 制造简单 , 成本低 , 所以它又适 用于接入网使用。 VCSEL 激光器阵列 普通LD LD+电吸收调制器+隔离器结构 VCSEL激光器 4.4 半导体激光器的特性 半导体激光器的特性可分为基本特性、模式特性、调制响应及其噪声。 基本特性包括阈值特性、温度特性和波长特性。 4.4.1 半导体激光器的基本特性 1. 阈值电流 半导体激光器属于阈值器件,即当注入电流大于阈值点时才有激光输出,否则为荧光输出。 目前激光器Ith一般为十几个毫安,最大输出功率通常可以达到几个毫瓦。不过VCSEL例外,Ith仅为0.1mA。 4.4.1 半导体激光器的基本特性 2. 温度特性 LD的阈值电流Ith和输出功率是随温度而变化的。 T0为特征温度 GaAs激光器, T0120K InGaAsP激光器中, T0=50~70K 另外,LD的发射波长也随温度而变化,这是由于禁带宽度和折射率随温度变化引起的。 4.4.1 半导体激光器的基本特性 3. 波长特性 半
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