《基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源》.pdfVIP

第33卷第3期 红 外 与 毫 米 波 学报 Vo1．33．NO．3 2014年 6月 J．InflaredM illim ．W aves June，2014 文章编号：1001—9014(2014)03—0256—07 DOI：10．3724／SP．J．1010．2014．00256 基于 NEDI砷化镓 肖特基二极管的 D波段和 G波段倍频源 姚常飞 ，周 明，罗运生，林 罡，李 姣 ，许从海 ，寇亚男， 吴 目4，王继财 (1．南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏 南京 210016； 2．南京电子器件研究所 微波毫米波模块 电路事业部 ，江苏 南京 210016) 摘要：基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和 厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3．2THz的太赫兹变阻二极管．基于该二极 管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D 波段和G波段倍频源．D波段二倍频器在 152．6GHz测得最高倍频效率为2．7％，在 147．4—155GHz效率典型值 为 1．3％．G波段二倍频器在 172GHz测得最高倍频效率为2．1％，在 150—200GHz效率典型值为 1．0％． 关 键 词：太赫兹；GaAs肖特基二极管；倍频器 中图分类号：TN77 文献标识码 ：A DevelopmentofD·BandandG-Bandfrequencymultiplysourceswith SchottkydiodesofNEDI YAOChang．Fei ， ZHOU Ming ， LUOYun．Sheng ， LIN Gang ， LIJiao ， XU Cong—Hai， KOU Ya．Nan。 WU Gang， WANGJi．Cai ， (1．ScienceandTechnologyonMonolithicIntegratedCircuitsandModulesLaboratory，NamingElectronic DevicesInstitute，Naming 210016，China； 2．DepartmentofMicrowaveandMillimeterWaveModules，NamingElectronicDevicesInstitute，Naming 210016，China) Abstract：Terahe~zSchottkyvaristordiodewithcutoff~equencyof3．2THzwasdevelopedbasedonGaAsprocessofNan— jingElectronicDevicesInstitute(NEDI)．Theperformancesofdiodesareoptimizedbyoptimizationofactivelayer(expital layerandbufferlayer)doping，thickness，andSchottkycontactarea．Physicalstructureofthenonlineardiodewassetup， andEM softwareandcircuitsoftwarewerecombinedtogetherforimpedancematchinganalysis．FortheD—banddoubler， highestmeasuredmultiplyefficiencyis2．7％ at152