新模拟电子技术基础 教学课件 陈艳峰 第3章　场效应晶体管及其基本放大电路.pptVIP

2.使用注意事项 1)在MOS管中，除了栅、源、漏三极的管脚外，有的产品将衬底引出，因而这类管子有四个管脚，可让使用者根据电路的使用情况任意连接。2)场效应晶体管的漏极(d)与源极(s)可以互换使用，互换后其伏-安特性没有明显的变化。3)JFET的栅极、源极可以在开路状态下保存，注意使用时其栅-源电压uGS不能接反。4)焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。 3.2.4　场效应晶体管的主要参数及低频小信号等效模型 1.场效应晶体管的主要参数2.场效应晶体管的低频小信号等效模型3.场效应晶体管小信号等效模型参数的求取 1.场效应晶体管的主要参数 (1)直流参数(2)交流参数(3)极限参数 (1)直流参数 1)开启电压UGS(th)　定义为当uDS为某一固定值时，使iD大于零所需的最小|uGS|值。2)夹断电压UGS(off)　其定义与UGS(th)类似，指的是当uDS为某一固定值，使iD为规定的微小电流时的uGS值。3)饱和漏极电流IDSS　指uGS=0，|uDS|UGS(off)时的漏极电流。4)直流输入电阻RGS　在d-s之间短路的条件下，g-s之间直流电压与栅极直流电流的比值。 (2)交流参数 1)输出电阻rds2)低频跨导gm3)极间电容　指场效应晶体管三个电极之间存在的电容，即栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd和漏源电容Cds。 (3)极限参数 1)最大漏极电流IDM　指的是管子正常工作时漏极电流允许的上限值，超过此值，管子的性能变差，甚至烧毁。2)最大耗散功率PDM　场效应晶体管的耗散功率等于uDS和iD的乘积，即pD=uDSiD，这些耗散在管子中的功率将变为热能，使管子的温度升高。3)击穿电压　管子进入恒流区后，使iD开始急剧上升时的uDS值称为漏-源击穿电压U(BR)DS，uDS超过此值会损坏管子。 2.场效应晶体管的低频小信号等效模型 图3-12　FET及其小信号等效模型 3.场效应晶体管小信号等效模型参数的求取 当忽略rds时，FET小信号等效电路模型中只有参数gm需要根据场效应晶体管工作点的数值进行求解。根据式(3-8)gm的定义可知，通过对场效应晶体管在恒流区的转移特性电流方程求导，即可得出gm的表达式。因此根据式(3-3)或式(3-6)，可求得耗尽型MOSFET和JFET的低频跨导的表达式为 gm=?iD?uGSUDSQ=-2UGSoffIDSSIDQ(3-13) 3.3　场效应晶体管放大电路 3.3.1　共源放大电路3.3.2　共漏放大电路 3.3　场效应晶体管放大电路 图3-13　场效应晶体管放大电路的三种接法 3.3.1　共源放大电路 1.自给偏压共源放大电路2.分压式偏置共源放大电路 1.自给偏压共源放大电路 (1)静态分析　(2)动态分析　 1.自给偏压共源放大电路 图3-14　自给偏压共源放大电路及其直流通路 (1)静态分析　 对场效应晶体管放大电路静态分析的目的是根据其直流通路求取其静态工作点Q(UGSQ、IDQ、UDSQ)的具体数值。 (2)动态分析　 共源放大电路的交流通路及微变等效电路如图3-15所示，图中采用了场效应晶体管的简化等效模型。 (2)动态分析　 图3-15　自给偏压共源放大电路交流通路及微变等效电路 (2)动态分析　 图3-16　N沟道DMOSFET组成的共源放大电路 2.分压式偏置共源放大电路 (1)静态分析　图3-17b为分压式偏置共源放大电路的直流通路。(2)动态分析　分压式偏置共源放大电路的交流通路及微变等效电路如图3-18所示。 (1)静态分析 图3-17　分压式偏置共源放大电路及其直流通路 (2)动态分析 图3-18　分压式偏置共源放大电路交流通路及微变等效电路 3.3.2　共漏放大电路 (1)静态分析(2)动态分析　分压式偏置共漏放大电路的交流通路及微变等效电路如图3-20所示，根据图示电路可求解电路的各项交流性能指标，其中输入电阻与式(3-24)相同，电压增益u由式(3-26)确定。 (1)静态分析 图3-19　分压式偏置共漏放大电路及其直流通路 (2)动态分析 图3-20　分压式偏置共漏放大电路交流通路及微变等效电路 (2)动态分析 图3-21　共漏放大电路求输出电阻的等效电路 图3-22　基本共源放大电路及其微变等效电路 图3-23　习题3-4图 图3-24　习题3-5图 图3-25　习题3-6图 图3-26　习题3-7图 图3-27　习题3-8图 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 第3章　场效应晶体管及其基本放大电路 3.1　结型场效应晶体管3.2　绝缘栅型场效应晶体管3.3　场效应晶体