新模拟电子技术及应用 教学课件 杨燕 等 项目1 半导体器件及检测.pptVIP

将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。如图所示, 说明： 二极管使用注意事项 ? 二极管使用时，应注意以下事项： (1)二极管应按照用途、参数及使用环境选择。 ? (2)使用二极管时,正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。 (3)更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。 (4)二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于2mm,以免造成引线折断或外壳破裂。 剖析：二极管的应用 发光二极管的检测 1）普通发光二极管 普通发光二极管工作在正偏状态。 检测发光二极管,一般用万用表R×10k(Ω)挡,方法和普通二极管一样,一般正向电阻15kΩ左右,反向电阻为无穷大。 3．光电耦合器 光电耦合器是将发光二极管和光敏元件（光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等）组装在一起而形成的二端口器件,其电路符号如图所示。它的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加负载,实现了电—光—电的传递与转换。光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹配等电路中,起信号的传输和隔离作用。 常见三极管的外形结构如图所示。 剖析： 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1. 输入特性 2. 输出特性 1. 电流放大系数，? (1)第一部分由数字组成，表示电极数。“3”代表三极管。 (2)第二部分由字母组成，表示三极管的材料与类型。如A表示PNP型锗管，B表示NPN型锗管，C表示PNP型硅管，D表示NPN型硅管。 (3)第三部分由字母组成，表示管子的类型，即表明管子的功能如X表示低频小功率管；G表示高频小功率管；D表示低频大功率管。 (4)第四部分由数字组成,表示三极管的序号。  (5) 第五部分由字母组成,表示三极管的规格号。 2．三极管手册的查阅方法 1）三极管手册的基本内容 (1)三极管的型号; (2)电参数符号说明; (3)主要用途; (4)主要参数。 2）三极管手册的查阅方法 （1）已知三极管的型号查阅其性能参数和使用范围。 （2）根据使用要求选择三极管。 3．判别三极管的管型和管脚 (1）根据三极管外壳上的型号,初判其类型。 (2）根据三极管的外形特点,初判其管脚 (3）用万用表判别三极管的管脚及管型 。 ? ①基极的判别。 ②集电极和发射极的判别。 2．光电耦合器 光电耦合器是将发光二极管和光敏元件（光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等）组装在一起而形成的二端口器件,其电路符号如图所示。它的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加负载,实现了电—光—电的传递与转换。光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹配等电路中,起信号的传输和隔离作用。 剖析： 场效应管结构（FET) 1 结型场效应管(JFET) 1) 基本结构及符号 在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示，在N型本体材料的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d 。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道。这种结构称为N型沟道JFET。 在其栅－源间加负向电压（UGS0 ），以保证耗尽层承受反向电压；在漏－源间加正向电压（UDS0），以形成漏极电流iD。 输出特性 输出特性则反映了漏源电压对漏极电流的影响。 N沟道结型场效应管输出特性曲线 1）结构及符号（以N沟道增强型MOS管为例） （1） 转移特性曲线（ N沟道增强型MOS管） 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示: 增强型MOS管，当UGS＝0时，没