全程复习（广西）（广西）高考物理一轮复习 11.3带电粒子在复合场中的运动课件 新人教版.pptVIP

（1）带电微粒第一次经过磁场边界点的位置坐标； （2）带电微粒在磁场区域运动的总时间； （3）带电微粒最终离开电、磁场区域点的位置坐标.（保留两位有效数字） 【解析】（1）带电微粒从O点射入磁场，运动轨迹如图. 第一次经过磁场边界上的A点 由 得 A点位置坐标（-4×10-3 ，-4×10-3 ） （2）带电微粒在磁场中运动轨迹如（1）问图，设带电微粒在磁场中做圆周运动的周期为T 则t=tOA+tAC=　 代入数据解得：T=1.3×10-5 s 所以t=1.3×10-5 s. （3）微粒从C点沿y轴正方向进入电场，速度方向与电场力方向垂直，微粒做类平抛运动. Δy=v0t1 代入数据解得：Δy=0.2 m y=Δy-2r=0.2 m-2×4×10-3 m=0.19 m 离开电、磁场时的点的位置坐标为（0，0.19）. 答案：（1）（-4×10-3 ，-4×10-3 ） （2）1.3×10-5 s （3）（0，0.19 ） 【变式备选】如图所示的装置，左半部分为速度选择器，右半部分为匀强的偏转电场.一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场，最后打在照相底片D上.已知同位素离子的电荷量为q （q＞0），速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E0的匀强电场和磁感应强度大小为B0的匀强磁场，照相底片D与狭缝S1、S2连线平行且距离为L，忽略重力的影响. （1）求从狭缝S2射出的离子速度v0的大小； （2）若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度v0方向飞行的距离为x，求出x与离子质量m之间的关系式（用E0、B0、E、q、m、L 表示）. 【解析】（1）能从速度选择器中飞出的条件为 qE0=qv0B0　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ① 解得　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ② （2）离子进入电场后做类平抛运动,则 qE=ma　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　③ x=v0t ④ ⑤ 联立②③④⑤解得 答案： 考查内容 带电粒子在复合场中运动的实际应用 【例证】利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用 于测量和自动控制等领域. 如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两 个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一 现象称霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用 向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔 电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，EH和UH 达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系 式 其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有 关. （1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出UH和EH的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高； （2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数RH的表达式.（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）； （3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.若在时间ｔ内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式. 【规范解答】（1）EH和UH达到稳定值，根据匀强电场中电势差与电场强度的关系，可得UH=EHl； 若半导体材料是电子导电的，则电子运动方向与电流方向相反，根据左手定则，电子受洛伦兹力的作用向f侧偏转和积累，故c端的电势高. （2）由 ① 得 ② 当电场力与洛伦兹力相等时eEH=evB 得EH=vB ③ 又I=nevS ④ 联立②③④解得 （3）由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则P=mNt 圆盘转速为 答案：（1）UH=EHl　c端的电势高（2） （3） 1.（2012·