新数字电子技术 教学课件 王秀敏主编3 3.3+双极型三极管.pptVIP

半导体二极管可以对电信号进行整流，在电子电路中用来设计开关电路，组成各种逻辑电路。 晶体管作为多功能的半导体器件，可以和其他的电子元件连接，实现放大电流、放大电压和放大功率的作用，被称为有源器件，二极管被称为无源器件。 晶体管的类型有最基本的三种，即双极型三极管（又称为双极型晶体管或者三极管）、金属－氧化物－半导体 场效应管和结型场效应管，双极型三极管其导电过程中涉及到电子和空穴两种载流子，是“双极”型，这也是三极管前面加“双极”的原因； 而场效应管（包括金属－氧化物－半导体场效应管和结型场效应管）只涉及一种载流子，是“单极”型。 3.3.1双极型三极管的结构与类型 双极型三极管的基本结构是由两个相距很近的PN结组成，有三个掺杂不同的扩散区，它有两种类型：NPN型和PNP型。 NPN型晶体管的第一个N区称为发射区，由此引出的电极为发射极，用E或e表示（Emitter）； 中间的P区称为基区，引出的电极称为基极，用B或b表示（Base）； 第二个N区称为集电区，引出的电极称为集电极，用C或c表示（Collector）。 PNP型晶体管发射区为第一个P区，对应的电极为发射极； 基区为中间的N区，对应的电极为基极； 集电区为第二个P区，对应的电极为集电极。发射区和基区（E-B）间的PN结称为发射结（Je），集电区和基区（C-B）间的PN结称为集电结（Jc）。 图3.3.1(a)、（b）分别是NPN型和PNP型晶体管的基本结构和电路符号，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 （＋＋）号和（＋）号表示通常情况下三个区掺杂浓度的相对大小，前者表示非常重的掺杂，后者表示中等程度的掺杂，掺杂浓度最高的是发射区，集电区掺杂浓度最低。 从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的，实际上发射区的面积小，作用是发射载流子，集电结面积大，作用是收集载流子，基区 制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，作用是传输载流子，发射区与集电区的结构不同，不能互换。 3.3.2三极管的电流放大作用 NPN型和PNP型晶体管是互补的器件，下面以NPN型晶体管来具体分析晶体管的基本工作原理以及电流放大作用，PNP型晶体管的分析与此类似。 1．基本工作原理 正常工作状态下的晶体管，发射结加正向偏压，用Ve表示，收集结加反向偏压，表示为Vc，如图3.3.2（a）所示。晶体管中发射结（Je）和集电结（Jc）的相互作用是通过载流子的输运体现出来的。 正偏的发射结和反偏的集电结，使得基区存在少子（电子）的浓度梯度。发射结正向偏置，电子从发射区越过发射结注入到基区，成为基区的非平衡少子，基区宽度远远小于电子的扩散长度，注入到基区的电子来不及和空穴复合就扩散到集电结的边界，由于集电结反向偏置，电子被集电结的反向抽取拉向集电区，使得集电结流过很大的反向电流。由此可见，由于发射结的正向注入作用和集电结的反向抽取作用，使得一股电子流从发射区流向集电区，如图3.3.2（b）所示。 从图3.3.2（b）可以看出，通过发射结的扩散电流有两部分构成：发射区的多子（电子）向基区扩散形成的电子电流Ien，它大部分能够传输到集电极，成为集电极电流的主要部分；另外一部分是由基区注入发射区的空穴扩散电流Iep，它对集电极的电流没有贡献，成为基极电流的一部分。由于基区空穴的浓度远小于发射区的电子浓度（掺杂浓度不同），因而，空穴电流和电子电流相比是很小的。因此发射极的电流Ie为： 在基区，由发射区注入到基区的电子电流在扩散通过基区的过程中，由于和空穴的复合，一部分变为基极的电流，用Irb来表示。通过集电结的电流主要有两部分：注入到基区集电结边界的电子扩散电流，电子在集电结电场作用下漂移通过集电区，是一股反向大电流，成为集电结电流的主要部分，用Icn来表示；另外一部分是集电结的反向饱和电流ICBO。因此基极、集电极的电流Ib、Ic为： 从图3.3.2（b）可以看出： 满足基尔霍夫电流定律 2．电流放大作用 三极管在实际电路中有三种连接方式：共基极（以基极为输入回路和输出回路的公共端，其他类推）、共发射极和共集电极，如图3.3.3所示。 图3.3.2（b）表示的是共基极连接时三极管内部载流子的情况，这里要求分析的是输出电流I c和输入电流I e之间的关系，而在共发射极和共集电极连接的电路，则分别需要分析I c与I b以及I e与I b的关系。 它表示的是集电极电流在总发射极电流中所占的比例，其值恒小于1，典型值为0.95~0.995