新微机原理及其应用 教学课件 邓蓓 微机原理与应用 第5章.pptVIP

第5章 存储器 2．同步RAM（Synchronous RAM） 同步RAM技术是将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使得RAM和CPU能够共享一个时钟周期，它们以相同的速度同步工作。目前，同步SRAM速度最快可达5～8ns，而同步DRAM（SDRAM）最快达7~10ns左右。 3．高速缓冲存储器DRAM（Cached DRAM简称CDRAM） CDRAM技术是把高速的SRAM存储单元，集成在DRAM芯片内部，作为DRAM的内部Cache。在Cache和DRAM存储单元之间通过内部总线相连。主要用在没有二级Cache的低档便携机上。 机械工业出版社 电子制作：孙锋 第5章 存储器 5.3 只读存储器（ROM） 5.3.1固定掩膜式ROM 固定掩膜ROM的每个存储单元由单管构成，因此集成度较高。存储单元的编程是在生产过程中，由生产厂家用一掩膜确定是否将单管电极金属化接入电路，未金属化的位存“1”，否则存“0”。 这类ROM的编程（信息的写入）只能由器件制造厂在生产时定型，若要修改，则只能在生产厂重新定做新的掩膜，用户无法自己操作编程。 机械工业出版社 电子制作：孙锋 第5章 存储器 5.3.2可编程ROM（PROM） PROM与固定掩膜ROM相比，它允许用户自己编写一次程序。在PROM中，常采用二极管或双极型三极管作存储单元。管子的反射极上串接有可熔性金属丝，该熔丝的完好与否，决定该信息的状态。出厂时，所有熔丝是完整的，管子将位线与字线连通，表示存有“0”信息，因此，新出厂的PROM芯片应为全“0”状态。用户编程时，在脉冲的作用下，使熔丝断开，该位由“0”变为“1”状态，实现了信息的写入。用户只要控制该往哪些位写“1”，便可实现对PROM的编程。由于熔丝烧断之后无法恢复，所以，PROM芯片只能进行一次编程。 机械工业出版社 电子制作：孙锋 第5章 存储器 5.3.3擦除可编程ROM（EPROM） 2764是可用紫外光擦除，可编程的ROM（EPROM）。 2764芯片有28个引脚，如图5-7所示。 1）A0～A12 ：地址线，共13条。 2）D0～D7 ：8位数据线。 由此可知2764的容量为：213 = 8KB = 8K×8b 3）VCC ：电源，接+5V。 4）GND：地线。 5）VPP ：工作方式电压。+5V时为读数方式；+25V时为编程方式。 6）：片选引脚。 7）：编程信号引脚，要对某单元写入时，应对该引脚输入一个宽度为50ms的正脉冲。 8）：输出允许信号引脚，低电平有效，当其有效时，所存储的数据可读出。 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC A8 A9 A11 OE A10 D7 D6 D5 D4 D3 PGM CE NC 图5-7 2764的引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 机械工业出版社 电子制作：孙锋 第5章 存储器 EPROM有4种工作方式：读、编程、校验和禁止编程，见表5-1。 表5-1 2764工作方式 机械工业出版社 电子制作：孙锋 第5章 存储器 在读方式下，VPP接+5V，从地址线A12～A0输入所选单元的地址，和端为低电平时，数据线上出现所寻址单元的数据。注意芯片允许信号必须在地址稳定后有效。 在编程方式下，VPP接+12V，从A12～A0端输入要编程单元的地址，在D7～D0端输入编程数据。在端加上编程脉冲（宽度为50ms的TTL高电平脉冲），即可实现写入。注意，必须在地址和数据稳定后，才能加上编程脉冲。 校验方式总是和编程方式配合使用，每次写入1个字节数据后，紧接着将写入的数据读出，检查已写入的信息是否正确。 禁止编程方式下，禁止将数据线上的内容写入EPROM。 机械工业出版社 电子制作：孙锋 第5章 存储器 5.3.4电可擦除编程ROM（E2PROM） 紫外光擦除EPROM，在使用时，须从电路板上拔下，在专用紫外线擦除器中擦除，另外，EPROM可被擦除后重写的次数也是有限的，一块芯片往往使用时间不太长。 E2PROM则是一种不用从电路板上拔下，而在线直接用电信号进行擦除的EPROM芯片。它可在加电情况下擦除存储器的全部或某一部分内容，然后在电路上直接改写其擦除过的单元内容。E