Bi系层状铁电薄膜BTO和SBTO的结构和性能的研究.pdfVIP

摘 要 进入上世纪90年代以后，随着微电子技术和计算机工业迅速发展，具有高存 取速度和存储密度、抗辐射、不挥发等特点的铁电薄膜存储器（FeRAM）受到了人 们的广泛关注。近年来，Bi 系层状铁电氧化物（Bismuth Layer-Structured Ferroelectrics—BLSFs ）以其优良的抗疲劳特性得到了广泛的关注。 本文选择 Bi Ti O （BTO ）和Sr Bi Ti O （SBTO ）为研究对象。采用脉冲激 4 3 12 2 4 5 18 光沉积法（pulsed laser deposition, PLD ）制备薄膜。为了与传统的半导体工艺相集 成以及降低成本，本文选择商业化基片Pt/TiO /SiO /Si为衬底，生长BTO和SBTO 2 2 薄膜，并尝试改善其性能。 首先制备出了 BTO 和 SBTO 的靶材，并研究出在Pt/TiO /SiO /Si 基片上 BTO