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在线教务辅导网: 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址: 集成电路制造工艺 第15章 ULSI工艺总汇 第15章 ULSI工艺总汇 15.1 CMOS集成电路15.2 双极型集成电路(TTL)15.2.1 标准双极工艺15.2.2 自对准双极机构15.2.3 STTL集成电路15.3 BiCMOS工艺15.3.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺15.3.2 双阱BiCMOS工艺15.4 砷化镓集成电路15.4.1 砷化镓集成电路工艺流程15.4.2 主要工艺参数的选取 15.1 CMOS集成电路 图15-1 不同的CMOS结构a)P阱 b)N阱 c)孪生阱 15.1 CMOS集成电路 15M2.tif 图15-2 CMOS倒相器a)倒相器线路图 b)倒相器剖面图 15.1 CMOS集成电路 图15-3 CMOS反相器管芯制造流程图 1.衬底2. N阱 15.1 CMOS集成电路 3. NMOS有源区4. PMOS有源区5.栅氧化6.多晶硅栅区7. NMOS源漏区8. PMOS源漏区9.退火和驱进源漏区10.刻蚀引线窗口、溅射铝11.反刻和钝化 15.1 CMOS集成电路 0.tif 15.1 CMOS集成电路 15M4.tif 图15-4 双阱CMOS集成电路工艺流程示意图a)第二层连线 b)钝化层 15.2 双极型集成电路(TTL) 0.tif 15.2 双极型集成电路(TTL) 15M5.tif 图15-5 双极集成电路中晶体管的结构a)标准埋入集电极(SBC)工艺 b)集电极扩散隔离(CDI)工艺 c)三重扩散(3D)工艺 15.2.1 标准双极工艺 15M6.tif 图15-6 标准埋层双极晶体管工艺流程示意图a)埋层注入 b)外延生长 c)PN结隔离 d)深集电极接触形成e)基区形成 f)发射区形成 g)刻孔、接触、金属化 15.2.1 标准双极工艺 2.埋层制备3.外延层生长4.隔离区形成5.深集电极接触的制备6.基区形成7.发射区形成8.金属接触互练9.形成互连金属10.后工序(测试、键合、封装等) 15.2.2 自对准双极机构 0.tif 15M7.tif 图15-7 双多晶硅自对准双极晶体管剖面图 15.2.2 自对准双极机构 15M8.tif 图15-8 双多晶硅自对准NPN双极晶体管生产工艺流程图 15.2.3 STTL集成电路 15.3 BiCMOS工艺 15.3.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 15M9.tif 图15-9 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS基本结构 15M10.tif 15.3.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 图15-10 有埋层的以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS结构 15.3.2 双阱BiCMOS工艺 0.tif 15.3.2 双阱BiCMOS工艺 15M11.tif 图15-11 双阱BiCMOS工艺流程示意图 15.4 砷化镓集成电路 15M12.tif 图15-12 砷化镓MESFET结构TC制作流程图 15.4.1 砷化镓集成电路工艺流程 1)欧姆接触:光刻形成欧姆接触图形;蒸发或溅射AuGeNi/Au;合金化。2)注入隔离:光刻形成隔离图形;隔离注入,见图15-12b。3)栅制作:光刻栅区;凹槽腐蚀;蒸发栅金属铝;见图15-12c。4)形成第一层金属布线:光刻形成第一层布线;蒸发钛、铂、金。5)形成介质隔离层:淀积Si3N4作为介质隔离;光刻形成引线接触孔。 15.4.2 主要工艺参数的选取 1.离子注入2.离子注入退火3.金属层
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