新集成电路芯片制造实用技术 教学课件 卢静 第7章 刻蚀工艺.pptVIP

第7章 刻蚀制程 7.1 概述 7.2 湿法刻蚀 7.3 干法刻蚀 7.4 质量评价 7.1 概述 广义而言，刻蚀技术包含了所有将材质表面均匀移除或是有选择性的部分去除的技术，可大体分为湿法刻蚀与干法刻蚀两种方式。 本情景针对半导体制造工艺中所用的刻蚀技术做详细介绍，内容将包括湿法刻蚀和干法刻蚀技术的原理，以及Si、SiO2、Si3N4、多晶硅及金属等各种不同材料刻蚀方面的应用。将重点描述干法刻蚀技术，并将涵盖刻蚀反应器、终点探测以及等离子体导致损伤等的介绍。 7.2 湿法刻蚀工艺 湿法刻蚀又称为湿化学刻蚀法，主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应将待刻膜层溶解达到刻蚀的目的。湿法刻蚀的反应产物必须是气体或可溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物的沉淀，影响刻蚀的正常进行。 湿法刻蚀的进行，通常先利用氧化剂(如Si和Al刻蚀时的HNO3)将被刻蚀材料氧化成氧化物(例如SiO2、Al2O3)，再利用另一种溶剂(如Si刻蚀中的HF和A1刻蚀中的H3PO4)将形成的氧化层溶解并随溶液排出。如此便可达到刻蚀的效果。 刻蚀分三步进行： ①刻蚀剂扩散至待刻材料的表面； ②刻蚀剂与待刻材料反应； ③反应产物离开刻蚀表面扩散至溶液当中，随溶液排出。 缺点：湿法刻蚀多是各向同性的，在将图形转移到硅片上时，刻蚀后会向横向发展，这会造成图形失真，不适合得到3μm以下的线宽。 要控制湿法刻蚀的速率，通常可通过改变溶液浓度和反应温度等方法实现。溶液浓度增加会加快湿法刻蚀时反应物到达及离开被刻蚀薄膜表面的速率，反应温度可以控制化学反应速率的大小。选择一个湿法刻蚀的工艺，除了刻蚀溶液的选择外，也应注意掩膜是否适用。 几种常见物质的湿法刻蚀介绍 1、硅的湿法刻蚀 单晶硅与多晶硅的刻蚀都是通过与硝酸和氢氟酸的混合溶剂反应来完成的。其过程是硝酸先将硅氧化成二氧化硅，再利用氢氟酸溶解掉产生的二氧化硅，反应如下： Si十4HNO3→Si02十2H20十4NO2 Si02十6HF→H2SiF6十2H20 2、二氧化硅的湿法刻蚀 通常采用氢氟酸溶液完成，由于刻蚀速率太高，工业难以控制。因此，在实际应用时需经过氟化铵的稀释。氟化铵可避免氟化物离子的消耗，以保持稳定的刻蚀速率。典型的二氧化硅刻蚀剂是氟化铵与氢氟酸以6:1的体积比混合，它对氧化层的刻蚀速率约为1000?/min，其反应如下： SiO2十6HF→H2SiF6十2H2O 3、氮化硅的湿法刻蚀 Si3N4在半导体工艺中主要是作为场氧化层在进行氧化生长时的屏蔽膜及半导体器件完成主要制备流程后的保护层。可以使用加热180oC，85%的H3PO4溶液刻蚀Si3N4 ，其刻蚀速率与Si3N4的生长方式有关，例如：用PECVD方式比用高温LPCVD方法得到的Si3N4的刻蚀速率快很多。 由于高温Si3N4会造成光刻胶的剥落。在进行有图形的Si3N4湿法刻蚀时，必须使用SiO2作掩膜。一般来说， Si3N4的湿法刻蚀大多应用于整面的剥除。对于有图形的Si3N4刻蚀，则应采用干法刻蚀的方式。 4、金属铝的湿法刻蚀 集成电路中，大多数电极引线都是由铝或铝合金形成的。铝刻蚀的方法很多，生产上常用的是经过加热的磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液，典型的比例是80:5:5:10。硝酸的作用主要是提高刻蚀速率，若太多会影响光刻胶的抗蚀能力；醋酸是用来提高刻蚀均匀性的。刻蚀温度一般介于35～45oC之间，刻蚀反应如下： 2Al十6H3PO4→2Al(H2PO4)3十3H2 刻蚀时会有氢气泡产生，这些气泡附着在铝的表面抑制铝刻蚀的进行，造成刻蚀的不均匀，醋酸就是用来降低界面张力避免这种问题发生的。 综上所述，湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便， 一般的常规生产均能满足要求。但各向同性刻蚀性太强，容易出现横向钻蚀现象，如图7-1所示难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差。所以，已逐渐被干法刻蚀代替。 7.3 干法刻