微区中分子束外延生长SiGe%2fSi异质结构的研究.pdf

摘 蚕 博 士论 文 第六 章 ，我们 利 用微 区外延技 术 生 长 高 品质 的应变 Si 材料 。主要 包 括 下面 几 个 方面 : 一 ，研 制 生长 高 G e 组份 ，低 位 错 密度 ，高应变 驰 豫 的 S i045G eo，55膜 虚拟衬底 。在 3 微米 的窗 口内成 功生长 了应变 弛豫达 90% ，穿透位错密度低 于 2x 105cm 一2 的 si05G e05 虚 拟 衬 底 ，而 整 个 虚 拟 衬 底 厚度 仅 为 340nnl 。二 ，在 S ios G e05虚拟 衬 底 上 生长 高 品质 的应变 Si 膜 。其 张应变达 到 1.5% ，穿透 位 错 密 度 低 于 Z x lo，cm Z。 关键词 : 分子束外延 ，siG elsi 异质 结 ，位错 ，纳米 结构 ，应变 分类 号 : 0 469，0 472+ .1，0 752+ .9，0 77+2 S u响 ce 尸句份，。L ab 了N or，ona IK 勺 Lab ) 摘 要 博 士 论 文 A b str a C t In th is the sis th e in f iu en ee o f th e ed g e effe ct o f th e eP itax ia l f ilm an d th e m a sk m ate ria l o n the srt a in o f th e S IG e/5 1 h ete ro strueture g ro wn in lim ited are a 15 f irstly stu d ied . F u rth er stu d ie s in d ieate that th is k in d o f th e ed g e in d u eed stra in relax a tio n w ill a ffe e t so m e P roP ertie s o f th e eP itax ia l f ilm in th e w in d ow . In th e exP erim en is d iffe rent m o rph o lo g ie s o f the S IG e film in th e w in do w w ith d iffe rent m a sk m a teria ls are o b serve d ，w e su g g e st th is resu lt o rig in a tes fro m th e d iffe ren t strain d istr ib ution cau sed b y the ed g e effe et o f th e m a sk m ateria l. Th e th erm a l stab ility o f th e S IG e/5 1 h etero stUr ctu re 15 g reatly im P rov ed b y g row in g th e S IG e f ilnl in th e w in d o w .W e a ttrib u te th is re su lt to the ed g e in d u ced strain re lax atio n an d th e b lo ck in g e ffe ct for th e P roP ag atio n o f th e m isfit