垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试.pdf

第20卷第4期 哈尔滨理工大学学报 V01．20No．4 OFHARBINUNIVERSnYOFSCIENCEANDTECHNOLOGY 2015年8月 JOURNAL Aug．2015 垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试 王东兴， 王泽英， 王碉碉， 张永霜， 王 碉 (哈尔滨理工大学应用科学学院(教育部工程电介质重点实验室)，黑龙江哈尔滨150080) 摘要：传统有机材料的场效应晶体管(FETs)具有工作速度低、驱动电压高的缺陷，针对这个 薄膜的制备是十分重要的．VOTFTr通过栅一源极偏压改变肖特基势垒高度来调制沟道电流．在室 温下对其进行基本的电气测量．实验结果表明器件的静态输出特性具有不饱和性．漏一源极偏压 ‰保持在2V时，在栅一源极上施加频率为100Hz的方波交流信号，得到器件的开关特性参数为 t。。=2．68ms，t。。=1．32ms．在栅一源极上施加正弦波交流信号时，器件的截止频率和放大带宽分别 为400 Hz，400Hz．可知VOTFT具有工作频率高，响应速度快，电流密度大的优点． 关键词：有机薄膜晶体管；半导电舢栅极；酞菁铜；肖特基势垒 DOI：10．15938／j．jhust．2015．04．003 文献标志码：A 中图分类号：TN321+．5 CharacteristicsMeasurementsofVerticalStructure Operation Copper ThinF．ImTransistor PhthalOCyanine WANG WANGYue Ze—ying， WANG珧粥-xing，WANGYue—yue，ZHANG场甥·shuang， of DielectricsandIts of of (KeyLaboratory Education，School Engineering Application，Ministry ofScienceand AppliedScience，HarbinUniversity Technology，Harbin150080，China) fieldeffect Abstract：The thetraditionalmaterialhavethedefectsoflOW transistors(FETs)usingorganic and atthis havefabricatedtheverticalstructure thin speedhighdrivingvoltage．Aimingproblem，we film organic on vacuum andDC transistors(VOTFTs)basedcopperphtha