图形衬底上GaN材料的外延生长的研究.pdf

摘要 摘要 本文利用MOCVD设备在几种不同形貌的图形衬底上进行了GaN材料的一系列 外延生长实验，结合多种表征手段，研究了温度、压力、流量等生长参数对外延 生长GaN材料的结晶质量、表面形貌等的影响，针对关键生长参数进行了优化实 验，结合相关理论分析了图形衬底上外延生长的机理。 对于不同形貌的图形衬底，利用SEM进行了表面形貌的表征，对外延生长材 料的结晶质量采用XRD进行表征分析，结合AFM的结果，分析外延层的表面粗糙 度，通过分析外延材料的湿法腐蚀结果比较了图形衬底上不同位置的外延生长材 料的缺陷密度。 1、对三角形腐蚀坑产生机理、化学腐蚀的时间对外延材料的结晶质量和表面 粗糙度产生的影响进行了理论的分析，针对外延片的XRD、SEM、AFM等测试结果 优化了腐蚀时间； 2、结合AFM结果分析了轰击台阶面的成因，在结晶质量的角度上优化了轰击 时间，并结合微台阶理论对斜切结构对外延生长的影响进行了分析，最后优化了 外延生长温度这一重要的生长参数； 3、采用柱状图形衬底外延生长GaN材料，通过与普通蓝宝石衬底上外延生长 的比较，论述了图形衬底上外延生长材料的机理和特点，分析了V／III与生长速率 的关系，依次优化了V／III、低温缓冲层的生长时